[发明专利]深微导通孔的制作方法

权利要求书

1.一种深微导通孔的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1)、准备一张双面覆铜基板，所述双面覆铜基板由一张辅助基板(10)和两张分别压合于所述辅助基板(10)正反两面上的铜箔层(11)组成；

步骤2)、对两张所述铜箔层(11)进行减铜作业，以使得两张所述铜箔层(11)的厚度满足后续作业需求；

步骤3)、根据线路布局要求，分别对两张所述铜箔层(11)进行镭射开窗作业，以形成能裸露出所述辅助基板(10)正面局部区域的第一窗口(12)、以及能裸露出所述辅助基板(10)反面局部区域的第二窗口(13)，且所述第二窗口(13)与所述第一窗口(12)还呈相对位置设置；

步骤4)、先对所述辅助基板(10)正面上并与所述第一窗口(12)相对应的裸露区域进行第一次激光打孔作业，加工出一呈上宽下窄的锥形盲孔(14)，且所述锥形盲孔(14)的孔深小于所述辅助基板(10)厚度的1/2；

然后再对所述辅助基板(10)反面上并与所述第二窗口(13)相对应的裸露区域进行第二次激光打孔作业，加工出一呈上窄下宽的倒锥形盲孔(15)，且所述倒锥形盲孔(15)的孔深亦小于所述辅助基板(10)厚度的1/2，即此时，相对应的所述倒锥形盲孔(15)与所述锥形盲孔(14)之间留有未打通的部分辅助基板；

随后对上述未打通的部分辅助基板进行第三次激光打孔作业，使得所述倒锥形盲孔(15)与所述锥形盲孔(14)相导通，得到孔径＜0.1mm、且孔深≥0.2mm的深微导通孔雏形(16)；

步骤5)、对所述深微导通孔雏形(16)依次进行化学沉铜和电镀工艺处理，以实现在所述深微导通孔雏形(16)内镀满导通铜(17)，制得所述深微导通孔。

2.根据权利要求1所述的深微导通孔的制作方法，其特征在于：在上述步骤2)和步骤3)之间还设置有步骤3a)，其具体为：采用机械钻孔的方式在减铜作业后的所述双面覆铜基板上钻出对位孔。

3.根据权利要求1所述的深微导通孔的制作方法，其特征在于：所述第一窗口(12)与所述第二窗口(13)的面积比值为0.8：1。

4.根据权利要求1所述的深微导通孔的制作方法，其特征在于：所述锥形盲孔(14)和所述倒锥形盲孔(15)的孔深均为所述辅助基板(10)厚度的0.3～0.45倍。

5.根据权利要求1所述的深微导通孔的制作方法，其特征在于：将上述第一次激光打孔作业、第二次激光打孔作业和第三次激光打孔作业中所用激光器的单脉冲能量值分别定义为J1、J2和J3，且所述J1、J2和J3满足以下比例关系：

J1：J2：J3＝(0.4～0.6)：(0.5～0.7):1。

6.根据权利要求1所述的深微导通孔的制作方法，其特征在于：上述步骤5)的具体制作方法为：先利用化学沉铜技术在所述深微导通孔雏形(16)的内壁上沉积一层种子层，然后再利用电镀技术并按照先通孔填孔电镀、再盲孔填孔电镀的加工方式，在所述深微导通孔雏形(16)内镀满所述导通铜(17)，制得所述深微导通孔。

7.根据权利要求6所述的深微导通孔的制作方法，其特征在于：所述导通铜(17)的两端分别与两张所述铜箔层(11)相齐平衔接。