[发明专利]氮杂萘类衍生物及其制备方法和电子器件

权利要求书

1.一种氮杂萘类衍生物，其特征在于，其由下述通式(I)表示：

其中，

环A表示为六元的芳香族氮杂环；

L₁表示单键、羰基、氰基具有6至18个碳原子的芳香族烃基或具有5至18个碳原子的芳香族杂环基；

Y₁、Y₂独立地选自取代或未取代的C1-C30的烷基中的一种；

q表示1-2的整数；

m和n各自独立地表示为0-1的整数，并且m和n不同时为0；

A₁表示Ar₁或

Ar₁～Ar₂各自独立地表示氢原子、氰基或任选被一个或多个R¹取代的、具有6至30个碳原子的芳香族烃基或任选被一个或多个R¹取代的、具有5至30个碳原子的芳香族杂环基；

R¹表示氢原子、氘原子、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、NO₂、N(R²)₂、OR²、SR²、C(＝O)R²、P(＝O)R²、Si(R²)₃、取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至20个碳原子的炔基、取代或未取代的具有6至40个碳原子的芳香族烃基、或取代或未取代的具有5至40个碳原子的芳香族杂环基；

R²表示氢原子、氘原子、氟原子、氰基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳香族烃基或取代或未取代的具有5至30个碳原子的芳香族杂环基。

2.根据权利要求1所述的氮杂萘类衍生物，其特征在于，其由下述通式(1)至(36)示：

3.根据权利要求1所述的氮杂萘类衍生物，其特征在于，Ar₁～Ar₂各自独立地选自氢原子、氰基或下述基团：

其中，虚线表示与L₁或N键合的键，

R¹具有如通式(I)所定义的含义。

4.根据权利要求1～4中任一项所述的氮杂萘类衍生物，其特征在于，L₁表示单键、羰基、苯基或三嗪基；

R¹和R²各自独立地表示苯基、萘基、二甲基芴基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、三嗪基、嘧啶基、吡啶基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、二苯胺基、三苯胺基、苯并噻吩并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并芴并咔唑基、苯并蒽基、苯并菲基、螺双芴基、咔唑基、N-苯基咔唑基、茚并咔唑基、苯并咪唑基、二苯基-苯并咪唑基、二苯基-噁二唑基、二苯基硼基、三苯基磷氧基、二苯基磷氧基、三苯基硅基、四苯基硅基、吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基或菲啰啉基。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮杂萘类衍生物，其特征在于，由所述通式(I)表示的氮杂萘类衍生物选自下述化合物：

6.一种氮杂萘类衍生物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

7.一种电子器件，其特征在于，其包括权利要求1～5中任一项所述的氮杂萘类衍生物

8.根据权利要求7所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件为有机电致发光器件、有机场效应晶体管或有机太阳能电池；

其中，所述有机电致发光器件包括：第一电极、与所述第一电极对置而具备的第二电极、以及夹在所述第一电极与所述第二电极之间的至少一个有机层，所述至少一个有机层包含权利要求1～5中任一项所述的氮杂萘类衍生物。

9.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述至少一个有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层。