[发明专利]一种激光器芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种激光器芯片，其特征在于，包括，

至少两个激光器阵列，每一所述激光器阵列包括至少两个发光单元，所述至少两个激光器阵列交叉设置；

其中，所述至少两个激光器阵列之间设置有第一绝缘层，每一所述激光器阵列内的至少两个发光单元通过导电连接层连接，所述至少两个激光器阵列的导电连接层位于所述第一绝缘层上，且所述至少两个激光器阵列的导电连接层之间设置有第二绝缘层，所述至少两个激光器阵列的导电连接层交叉重叠；

所述至少两个激光器阵列的导电连接层通过所述第二绝缘层绝缘，且部分所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上；

所述激光器芯片包括第一激光器阵列和第二激光器阵列，所述第一激光器阵列至少包括第一发光单元和第二发光单元，所述第二激光器阵列至少包括第三发光单元和第四发光单元；

其中，所述第四发光单元连接第一阳极焊盘，所述第三发光单元连接第二阳极焊盘，所述第一阳焊盘极控制所述第一激光器阵列，所述第二阳极焊盘控制所述第二激光器阵列。

2.根据权利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述第一发光单元和所述第二发光单元通过第一导电连接层连接，所述第一导电连接层的两端分别连接所述第一发光单元和所述第二发光单元的欧姆电极。

3.根据权利要求2所述的激光器芯片，其特征在于，所述第一导电连接层形成在所述第一绝缘层上，所述第一导电连接层的两端位于所述欧姆电极的顶面上。

4.根据权利要求2所述的激光器芯片，其特征在于，所述第二绝缘层完全覆盖第一导电连接层。

5.根据权利要求2所述的激光器芯片，其特征在于，所述第三发光单元和所述第四发光单元通过第二导电连接层连接，所述第二导电连接层位于所述第二绝缘层上。

6.根据权利要求5所述的激光器芯片，其特征在于，所述第二导电连接层的两端分别连接所述第三发光单元和所述第四发光单元的欧姆电极。

7.根据权利要求5所述的激光器芯片，其特征在于，所述第一导电连接层和所述第二导电连接层交叉重叠。

8.根据权利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述第二绝缘层覆盖所述发光单元的发光孔。

9.根据权利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，当所述激光器芯片包括第一激光器阵列，第二激光器阵列和第三激光器阵列时，所述第一激光器阵列包括第一导电连接层，所述第二激光器阵列包括第二导电连接层，所述第三激光器阵列包括第三导电连接层，所述第三导电连接层位于所述第二导电连接层上，且所述第三导电连接层和所述第二导电连接层之间设置有第三绝缘层，所述第二导电连接层位于所述第一导电连接层上，且所述第二导电连接层和所述第一导电连接层之间设置有所述第二绝缘层，所述第一导电连接层设置在所述第一绝缘层上，所述第三绝缘层位于所述第二绝缘层上，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上。

10.一种激光器芯片的制造方法，其特征在于，包括，

形成至少两个激光器阵列，每一所述激光器阵列包括至少两个发光单元，所述至少两个激光器阵列交叉设置；

其中，所述至少两个激光器阵列之间设置有第一绝缘层，每一所述激光器阵列内的至少两个发光单元通过导电连接层连接，所述至少两个激光器阵列的导电连接层位于所述第一绝缘层上，且所述至少两个激光器阵列的导电连接层之间设置有第二绝缘层，所述至少两个激光器阵列的导电连接层交叉重叠；

所述至少两个激光器阵列的导电连接层通过所述第二绝缘层绝缘，且部分所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上；

所述激光器芯片包括第一激光器阵列和第二激光器阵列，所述第一激光器阵列至少包括第一发光单元和第二发光单元，所述第二激光器阵列至少包括第三发光单元和第四发光单元；

其中，所述第四发光单元连接第一阳极焊盘，所述第三发光单元连接第二阳极焊盘，所述第一阳焊盘极控制所述第一激光器阵列，所述第二阳极焊盘控制所述第二激光器阵列。