[发明专利]一种片上一次可编程电路

权利要求书

1.一种片上一次可编程电路，其特征在于：所述电路包括：第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第一片上熔丝、第二片上熔丝、第一输入端、第二输入端、第三输入端以及一个输出端；

所述电路从顶部电源端开始至上而下，所述第一NMOS晶体管的漏极接所述电路的烧写高压电源，所述第一NMOS晶体管的栅极接所述电路的所述第一输入端，用于接收烧写值信号，所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的漏极相连，所述第二NMOS晶体管的栅极接所述电路的所述第二输入端，用于接收烧写值反向信号，所述第二NMOS晶体管的源极与所述第三NMOS晶体管的漏极相连，所述第三NMOS晶体管的栅极接所述电路的所述第三输入端，用于接收使能信号，所述第三NMOS晶体管的源极接所述电路的地端，所述第一片上熔丝并联在所述第一NMOS晶体管的源漏两端，所述第二片上熔丝并联在所述第二NMOS晶体管的源漏两端，所述电路的输出端从所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的漏极结点的右端引出。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：所述电路的控制开关全部采用NMOS晶体管，其控制信号均工作在低压范围内，同时所有的NMOS晶体管共用一个衬底；所述第一片上熔丝和所述第二片上熔丝采用的是中间细，两头宽的电阻结构；所述电阻结构使用CMOS工艺器件中的多晶硅。

3.利用权利要求1-2中任一所述编程电路的编程方法，其特征在于：

当所述电路的所述使能信号为“0”时，整个OTP电路不执行编辑操作；当所述使能信号为“1”时，所述电路开始编辑，此时，若烧写值信号为“1”，所述第一NMOS晶体管导通，则所述第一片上熔丝被屏蔽，所述第二NMOS晶体管截止，则所述第二片上熔丝导通，所经过的大电流将所述第二片上熔丝熔断，最终所述输出端的信号被所述第一片上熔丝上拉为“1”；

反之，若烧写值信号为“0”，所述第一片上熔丝被熔断，所述第二片上熔丝被屏蔽，最终所述输出端的信号被所述第二片上熔丝下拉为“0”。