[发明专利]一种具有精密恒温控制功能的光电模块组件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有精密恒温控制功能光电模块组件的制造方法，其特征在于，所述光电模块组件包括：三氧化二铝陶瓷、氧化铍陶瓷或微晶玻璃基片（1），光发射组件（2），光接收组件（3），集成电路芯片（4），片式元器件（5）， NTC薄膜电阻（6），光电模块组件顶层金属电极（7），NTC薄膜电阻金属电极（8），多层布线绝缘介质层（9），集成TEC热电致冷器（200）；

所述集成TEC热电致冷器（200）包括：集成TEC p型半导体（201），集成TEC n型半导体（202），集成TEC顶层金属电极（203），集成TEC底层金属电极（204），集成TEC球型负电极（205），集成TEC球型正电极（206），集成TEC第一层绝缘介质隔离层（207），集成TEC第二层绝缘介质隔离层（208），集成TEC二氧化硅缓冲层（209）；

所述三氧化二铝陶瓷、氧化铍陶瓷或微晶玻璃基片（1）的上层为所述NTC薄膜电阻（6）、多层布线绝缘介质层（9）；

所述NTC薄膜电阻（6）的两端上层为NTC薄膜电阻金属电极（8），所述NTC薄膜电阻（6）的两端之外的中部上层为多层布线绝缘介质层（9）；所述NTC薄膜电阻金属电极（8）的上层为多层布线绝缘介质层（9）；所述NTC薄膜电阻（6）位于所述光发射组件（2）的正下方；

所述多层布线绝缘介质层（9）上层为所述光电模块组件顶层金属电极（7），所述光电模块组件顶层金属电极（7）的上层组装有所述光发射组件（2）、所述光接收组件（3）、所述集成电路芯片（4）、片式元器件（5）；

所述三氧化二铝陶瓷、氧化铍陶瓷或微晶玻璃基片（1）下层为所述集成TEC二氧化硅缓冲层（209），所述集成TEC二氧化硅缓冲层（209）的下层为所述集成TEC顶层金属电极（203）、所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层（207），所述集成TEC顶层金属电极（203）的下层为所述集成TEC p型半导体（201）、所述集成TEC n型半导体（202）、集成TEC第一层绝缘介质隔离层（207），所述集成TEC p型半导体（201）与所述集成TEC n型半导体（202）之间被所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层（207）隔离，所述集成TEC底层金属电极（204）上层为所述TEC p型半导体（201）、所述TEC n型半导体（202）、所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层（207）；

所述集成TEC底层金属电极（204）的两端的下层为所述集成TEC球型负电极（205）、所述集成TEC球型正电极（206）；

所述集成TEC底层金属电极（204）的除光电模块组件两端的集成TEC球型负电极（205）和集成TEC球型正电极（206）之外的中部下层为所述集成TEC第二层绝缘介质隔离层（208）；

所述光电模块组件的制备方法是以所述三氧化二铝陶瓷、氧化铍陶瓷或微晶玻璃基片（1）为载体，在所述三氧化二铝陶瓷、氧化铍陶瓷或微晶玻璃基片（1）的正面将所述光发射组件（2）、所述光接收组件（3）、所述集成电路芯片（4）、所述片式元器件（5）、所述NTC薄膜电阻（6）集成为一体；在所述三氧化二铝陶瓷、氧化铍陶瓷或微晶玻璃基片（1）的背面将所述集成TEC热电致冷器（200）有机地集成在一体，采用所述集成TEC球型负电极（205）、所述集成TEC球型正电极（206）进行电极引出，具体做法是：

S1, 准备所述三氧化二铝陶瓷、氧化铍陶瓷或微晶玻璃基片(1)；

S2, 溅射所述集成TEC二氧化硅缓冲层(209)、所述集成TEC顶层金属电极(203)；

S3, 光刻所述集成TEC顶层金属电极（203）；

S4, 溅射所述集成TEC p型半导体（201）；

S5, 刻蚀所述集成TEC p型半导体（201）；

S6, 溅射所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层（207），并进行CMP抛光；

S7, 刻蚀所述第一层绝缘介质隔离层（207）；

S8, 溅射所述集成TEC n型半导体（202），并进行CMP抛光；

S9, 溅射所述集成TEC底层金属电极（204）；

S10, 刻蚀所述集成TEC底层金属电极（204）；

S11, 溅射所述集成TEC第二层绝缘介质隔离层（208）；

S12, 刻蚀所述集成TEC第二层绝缘介质隔离层（208）；

S13, 溅射所述NTC薄膜电阻（6），刻蚀所述NTC薄膜电阻（6）；

S14，溅射所述NTC薄膜电阻金属电极（8），刻蚀所述NTC薄膜电阻金属电极（8）；

S15，溅射所述多层布线绝缘介质层（9）；

S16，溅射所述光电模块组件顶层金属电极（7）；

S17，刻蚀所述光电模块组件顶层金属电极（7）；

S18，溅射、光刻所述集成TEC引脚金属层，并进行高温回流形成所述集成TEC球型负电极（205）、所述集成TEC球型正电极（206）；

S19，装贴所述光发射组件（2）、所述光接收组件（3）、所述集成电路芯片（4）、所述片式元器件（5）。