[发明专利]一种高耐久人工皮革抛光垫的制备方法

说明书

本发明涉及一种高耐久人工皮革抛光垫的制备方法，它包括高分子弹性体基体层以及形成在所述高分子弹性体基体层表面的绒毛层，所述绒毛层包含直径为0.1μm~2.0μm的第一超细纤维，所述高分子弹性体基体层包括高分子弹性体基体以及设置于所述高分子弹性体基体内的复合纤维，所述复合纤维包含直径为0.1μm~2.0μm的第二超细纤维以及与所述第二超细纤维相复合的低熔点纤维；所述第一超细纤维和所述第二超细纤维相互独立地为定岛型海岛复合短纤维的岛成分，所述岛成分为选自聚酯、聚酰胺和聚烯烃中的一种；所述低熔点纤维的熔点为120℃~230℃。这样的人工皮革抛光垫不仅具有高耐久、力学性能优良等特性。

技术领域

本发明涉及一种抛光垫，具体涉及一种高耐久人工皮革抛光垫及其制备方法。

背景技术

近年来，化学机械抛光(CMP)是目前公认的纳米级全局平坦化精密/超精密加工技术。CMP技术将磨粒的机械研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来，可实现超精密无损伤表面加工，满足集成电路特征尺寸在0.35um以下的全局平坦化要求。抛光机、抛光浆料和抛光垫是CMP工艺的3大关键要素，其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平。其中抛光浆料和抛光垫为消耗品。通常一个抛光垫使用寿命约为45至75小时。

CMP抛光垫又称CMP研磨垫，主要用于半导体和蓝宝石等方面。CMP抛光垫由含有填充材料的聚氨酯材料组成，用来控制毛毡的硬度。抛光垫的表面微凸起直接与晶片接触产生摩擦，以机械方式去除抛光层在离心力的作用下，将抛光液均匀地抛洒到抛光垫的表面，以化学方式去除抛光层，并将反应产物带出抛光垫。抛光垫的性质直接影响晶片的表面质量，是关系到平坦化效果的直接因素之一。目前CMP抛光垫基材为聚氨酯，生产工艺主要为聚醚多元醇真空脱水后，加入异氰酸酯制备成预聚体。部分多元醇加入扩链剂、发泡剂、各种助剂、抛光粉，混合搅拌发泡后加入预聚体制备成抛光垫。中国专利(CN105579194A)中公开了一种聚氨酯型抛光垫。但是该类型抛光垫存在着制备工艺复杂，成本高等不足，除此之外还存在着使用寿命短、研磨速度低等缺点。

发明内容

本发明目的是为了克服现有技术的不足而提供一种高耐久人工皮革抛光垫。

为解决以上技术问题，本发明采取的一种技术方案是：一种高耐久人工皮革抛光垫，它包括高分子弹性体基体层以及形成在所述高分子弹性体基体层表面的绒毛层，所述绒毛层包含直径为0.1μm～2.0μm的第一超细纤维，所述高分子弹性体基体层包括高分子弹性体基体以及设置于所述高分子弹性体基体内的复合纤维，所述复合纤维包含直径为0.1μm～2.0μm的第二超细纤维以及与所述第二超细纤维相复合的低熔点纤维；所述第一超细纤维和所述第二超细纤维相互独立地为定岛型海岛复合短纤维的岛成分，所述岛成分为选自聚酯、聚酰胺和聚烯烃中的一种；所述低熔点纤维的熔点为120℃～230℃。

优化地，所述低熔点纤维被加热熔化形成不规则块状并包覆所述第二超细纤维。

优化地，所述低熔点纤维为改性聚酯类纤维。

优化地，所述低熔点纤维为所述复合纤维质量的1.0％～40.0％。

优化地，所述高分子弹性体基体的材质为聚氨酯。

优化地，它的邵氏A硬度为60～90、压缩比为2.0％～6.0％、回弹率为65％～85％且表面粗糙度为1.0μm～25.0μm。

本发明的又一目的在于提供一种上述高耐久人工皮革抛光垫的制备方法，它包括以下步骤：

(a)通过复合纺丝设备制备定岛型海岛复合短纤维；所述定岛型海岛复合短纤维包含海成分以及设置于所述海成分中的岛成分，所述岛成分为选自聚酯、聚酰胺和聚烯烃中的一种，所述海成分为溶出型聚合物；

(b)将所述定岛型海岛复合短纤维作为第二超细纤维与所述低熔点纤维混合，梳理铺网得复合纤维；再将所述定岛型海岛复合短纤维作为第一超细纤维，于所述复合纤维上梳理铺网，经针刺机抱合加工形成无纺布；