[发明专利]适于远程等离子体清洗的反应腔室、沉积设备及清洗方法有效
申请号: | 202010296604.0 | 申请日: | 2020-04-15 |
公开(公告)号: | CN111471980B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 秦海丰;史小平;兰云峰;王勇飞;纪红;赵雷超;张文强 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/513 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 适于 远程 等离子体 清洗 反应 沉积 设备 方法 | ||
1.一种适于远程等离子体清洗的反应腔室,其特征在于,包括:
腔室主体;
加热基座,所述加热基座设于所述腔室主体内;
环形支撑部件,所述环形支撑部件环绕于所述加热基座的外周,所述环形支撑部件面向所述加热基座的表面为内表面,背向所述加热基座的表面为外表面,所述外表面的粗糙度大于所述内表面的粗糙度,所述内表面光滑能够降低活性基团的吸附,所述外表面粗糙能够吸附活性基团,所述环形支撑部件的材质为陶瓷;
气体匀流栅,所述气体匀流栅设置于所述环形支撑部件上,且位于所述加热基座的上方。
2.根据权利要求1所述的适于远程等离子体清洗的反应腔室,其特征在于,所述内表面的粗糙度范围为0.1μm~0.8μm,所述外表面的粗糙度范围为3.2μm~12.5μm。
3.根据权利要求1所述的适于远程等离子体清洗的反应腔室,其特征在于,还包括位于所述腔室主体内的腔室内壁隔离结构,所述腔室内壁隔离结构为环形,与所述腔室主体的侧壁同轴设置,所述腔室内壁隔离结构与所述腔室主体的内侧壁之间设有密封的空腔。
4.根据权利要求3所述的适于远程等离子体清洗的反应腔室,其特征在于,所述腔室内壁隔离结构的材质为铝,所述加热基座和所述匀流栅的材质为陶瓷。
5.一种沉积设备,其特征在于,包括权利要求1至4任一项所述的反应腔室,还包括:
等离子体清洗源腔室;
清洗管路,所述清洗管路连通于所述等离子体清洗源腔室和所述反应腔室之间;
气源管路,所述气源管路连通于所述清洗管路。
6.一种权利要求5所述的沉积设备的清洗方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
步骤1:通过所述气源管路向所述等离子体清洗源腔室中通入助辉载气和清洗气体,其中所述助辉载气为氩气,用以增强所述等离子体清洗源腔室中的起辉;电离所述助辉载气及所述清洗气体,完成起辉工艺;
步骤2:起辉工艺完成后,停止通入所述助辉载气,增加所述清洗气体的通入量,所述清洗气体经所述等离子体清洗源腔室激发后形成等离子体,所述等离子体通过所述清洗管路进入所述反应腔室,对所述反应腔室的内部进行清洗;
步骤3:减少所述清洗气体的通入量,持续对所述反应腔室的内部进行清洗。
7.根据权利要求6所述的清洗方法,其特征在于,所述清洗气体包括三氟化氮,在所述步骤1中,所述氩气的通入量大于所述三氟化氮的通入量。
8.根据权利要求6所述的清洗方法,其特征在于,在所述步骤3之后还包括:通过所述气源管路向所述等离子体清洗源腔室、所述清洗管路、所述反应腔室内部通入清扫气体。
9.根据权利要求8所述的清洗方法,其特征在于,所述清扫气体为氩气。
10.根据权利要求7所述的清洗方法,其特征在于,
所述步骤1中所述氩气的流量为300~700sccm,所述三氟化氮的流量为300~700sccm;
所述步骤2中所述三氟化氮的流量为1500~2500sccm;
所述步骤3中所述三氟化氮的流量为200~600sccm。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的