[发明专利]取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜及其制备方法、半导体器件在审

专利信息
申请号: 202010296666.1 申请日: 2020-04-15
公开(公告)号: CN111470490A 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 姚亚刚;祝泽周;张凯;李立强 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: C01B32/168 分类号: C01B32/168;C01B32/198;C09K5/14;H01L23/373;C01B32/16
代理公司: 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 代理人: 仲崇明
地址: 210023 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 取向 纳米 石墨 复合 导热 及其 制备 方法 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜,其特征在于,包括碳纳米管层以及复合于碳纳米管层表面的石墨烯层,

所述碳纳米管层为取向薄膜。

2.根据权利要求1所述的取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜,其特征在于,碳纳米管层由碳纳米管丝交织成网状。

3.根据权利要求1所述的取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜,其特征在于,所述碳纳米管层的两个表面均复合有石墨烯层。

4.一种半导体器件,采用权利要求1-3任一所述的取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜作为导热界面材料。

5.一种取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜的制备方法,其特征在于,包括:

s1、将可纺丝的碳纳米管阵列牵拉成取向薄膜;

s2、将氧化石墨烯溶液复合到取向薄膜的表面;

s3、热处理,获得复合导热膜。

6.根据权利要求5所述的取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜的制备方法,其特征在于,步骤s1中,采用化学气相沉积法制作所述的可纺丝的碳纳米管阵列。

7.根据权利要求6所述的取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜的制备方法,其特征在于,化学气相沉积过程中,生长温度为700-840℃,保温时间为10-60分钟。

8.根据权利要求5所述的取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜的制备方法,其特征在于,步骤s2中,所述氧化石墨烯溶液以真空抽滤、喷涂、丝网印刷、喷墨打印、辊涂或刮涂方式复合到取向薄膜的表面。

9.根据权利要求5所述的取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜的制备方法,其特征在于,步骤s2中,氧化石墨烯溶液的浓度为1-10mg/mL。

10.根据权利要求5所述的取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜的制备方法,其特征在于,步骤s3中,热处理的过程包括:

800-1100℃预处理1-2小时;

升温至1500-2850℃进行高温处理0.5-2小时。

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