[发明专利]一种半导体传感器封装及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体传感器封装的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述半导体衬底包括多个呈矩阵排列的光电二极管阵列，所述光电二极管阵列从所述半导体衬底的第一表面露出；

(2)从所述半导体衬底的第二表面对所述半导体衬底进行刻蚀，以在所述光电二极管阵列中的每个光电二极管的周围区域形成第一沟槽，并在每个所述光电二极管的正对区域形成第二沟槽；

(3)在所述第一沟槽中形成隔离结构，并在所述第二沟槽中填充柔性材料；

(4)接着在所述半导体衬底的第二表面上形成减反射层；

(5)接着在所述减反射层上形成光刻胶层，在所述光刻胶层中对应所述隔离结构的区域形成第三沟槽，进一步刻蚀所述隔离结构以形成与所述第三沟槽贯通的第四沟槽；

(6)接着在所述第三沟槽和所述第四沟槽中填充金属材料以形成光隔离结构，然后去除所述光刻胶层；

(7)接着在所述光隔离结构所围绕的区域中形成滤色器单元；

(8)接着在所述滤色器单元上形成微透镜；

其中，通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述第一沟槽以及所述第二沟槽，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度，所述第一沟槽的深度为250-450微米，所述第二沟槽的深度为150-350微米；

其中，所述柔性材料包括聚酰亚胺、聚酯化合物、环烯烃聚合物、液晶聚合物、橡胶、硅树脂中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的半导体传感器封装的形成方法，其特征在于：所述隔离结构包括从下到上依次层叠的第一介质层、金属层以及第二介质层。

3.根据权利要求1所述的半导体传感器封装的形成方法，其特征在于：所述减反射层包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种，所述减反射层为单层结构或多层结构。

4.根据权利要求1所述的半导体传感器封装的形成方法，其特征在于：所述金属材料为铜、铝、钨、金、银、铂、钛、钯中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的半导体传感器封装的形成方法，其特征在于：所述滤色器单元为含有染料的有机树脂，所述微透镜的材料为树脂。

6.一种半导体传感器封装，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的方法制备形成的。