[发明专利]一种射频电感电路

权利要求书

1.一种射频电感电路，其特征在于，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，频带拓展单元(4)以及第一可调偏置单元(5)，第二可调偏置单元(6)；

其中：所述射频电感电路中所述第一跨导单元(1)包括第四N型MOS晶体管(M_n4)、第五N型MOS晶体管(M_n5)；第二跨导单元(2)包括第一N型MOS晶体管(M_n1)；第三跨导单元(3)包括第三N型MOS晶体管(M_n3)、第二P型MOS晶体管(M_p2)；频带拓展单元(4)包括第七P型MOS晶体管(M_p7)、第八N型MOS晶体管(M_n8)、第一无源电感(L₁)、第二无源电感(L₂)；第一可调偏置单元(5)包括第六P型MOS晶体管(M_p6)；第二可调偏置单元(6)包括第九P型MOS晶体管(M_p9)；

其中：有源电感的输入端(V_in)同时连接第一N型MOS晶体管(M_n1)的源极、第三N型MOS晶体管(M_n3)的漏极、第五N型MOS晶体管(M_n5)的栅极和第一无源电感(L₁)的第二端，第三N型MOS晶体管(M_n3)的栅极同时连接第二P型MOS晶体管(M_p2)的漏极与第五N型MOS晶体管(M_n5)的漏极，第二P型MOS晶体管(M_p2)的栅极与第一N型MOS晶体管(M_n1)的栅极相连，第二P型MOS晶体管(M_p2)的源极与第一N型MOS晶体管(M_n1)的漏极相连，第五N型MOS晶体管(M_n5)漏极与第四N型MOS晶体管(M_n4)的源极相连，第一无源电感(L₁)的第一端同时连接第八N型MOS晶体管(M_n8)的栅极和第七P型MOS晶体管(M_p7)的漏极，第八N型MOS晶体管(M_n8)的漏极同时连接第七P型MOS晶体管(M_p7)的栅极和第二无源电感(L₂)的第二端，第四N型MOS晶体管(M_n4)的栅极连接第三可调电压源(V_tune3)，第六P型MOS晶体管(M_p6)的栅极连接第一可调电压源(V_tune1)，第九P型晶体管(M_p9)的栅极连接第二可调电压源(V_tune2)；电源(V_DD)同时连接第六P型MOS晶体管(M_p6)、第二P型MOS晶体管(M_p2)的源极和第一N型MOS晶体管(M_n1)的漏极，电源(V_DD2)通过第二无源电感(L₂)与第八N型MOS晶体管(M_n8)的漏极相连，电源(V_DD1)与第七P型MOS晶体管(M_p7)源极相连；第五N型MOS晶体管(M_n5)的源极、第三N型MOS晶体管(M_n3)的源极、第八N型MOS晶体管(M_n8)的源极、第九P型MOS晶体管(M_p9)的漏极，均与地端(GND)相连。