[发明专利]半导体晶圆及其识别方法在审
申请号: | 202010297573.0 | 申请日: | 2020-04-15 |
公开(公告)号: | CN113540035A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 许青波;边恒恒;陈兵录 | 申请(专利权)人: | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 李青 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 及其 识别 方法 | ||
1.一种半导体晶圆,其特征在于,包括衬底、以及间隔设置在所述衬底上的多个器件;多个所述器件之间设置有划片区;
所述器件包括功能区和特征识别区,所述特征识别区环绕在所述功能区的外侧;
所述特征识别区设置有特征图形,所述特征图形用于被识别,以辅助确定所述划片区和所述器件之间的边界。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆,其特征在于,各个所述器件上的所述特征识别区的所述特征图形的相对位置一致。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆,其特征在于,所述器件为矩形;
所述特征图形的数量为四个,且位于所述器件的四个角上。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆,其特征在于,各个所述器件上的所述特征识别区的所述特征图形的面积一致。
5.根据权利要求1所述的半导体晶圆,其特征在于,各个所述器件上的所述特征识别区的所述特征图形的特征颜色一致。
6.根据权利要求5所述的半导体晶圆,其特征在于,所述特征图形的材料是金属。
7.根据权利要求1所述的半导体晶圆,其特征在于,所述特征图形设置在所述器件的表面层;
或者所述特征图形设置在所述器件的中间层,通过刻蚀的方法暴露在所述器件的表面。
8.根据权利要求1所述的半导体晶圆,其特征在于,所述划片区包括X划片道和Y划片道,所述X划片道的延伸方向与所述Y划片道的延伸方向垂直。
9.一种半导体晶圆的识别方法,其特征在于,所述半导体晶圆的识别方法包括以下步骤:
在半导体晶圆上设置图像识别区;
根据所述图像识别区的图像信息,获得所述半导体晶圆上的器件的位置信息。
10.根据权利要求9所述的半导体晶圆的识别方法,其特征在于,所述图像识别区包括设置在所述器件上的特征图形。
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