[发明专利]半导体晶圆及其识别方法在审

专利信息
申请号: 202010297573.0 申请日: 2020-04-15
公开(公告)号: CN113540035A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 许青波;边恒恒;陈兵录 申请(专利权)人: 苏州能讯高能半导体有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 李青
地址: 215300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 及其 识别 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体晶圆,其特征在于,包括衬底、以及间隔设置在所述衬底上的多个器件;多个所述器件之间设置有划片区;

所述器件包括功能区和特征识别区,所述特征识别区环绕在所述功能区的外侧;

所述特征识别区设置有特征图形,所述特征图形用于被识别,以辅助确定所述划片区和所述器件之间的边界。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆,其特征在于,各个所述器件上的所述特征识别区的所述特征图形的相对位置一致。

3.根据权利要求2所述的半导体晶圆,其特征在于,所述器件为矩形;

所述特征图形的数量为四个,且位于所述器件的四个角上。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆,其特征在于,各个所述器件上的所述特征识别区的所述特征图形的面积一致。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆,其特征在于,各个所述器件上的所述特征识别区的所述特征图形的特征颜色一致。

6.根据权利要求5所述的半导体晶圆,其特征在于,所述特征图形的材料是金属。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆,其特征在于,所述特征图形设置在所述器件的表面层;

或者所述特征图形设置在所述器件的中间层,通过刻蚀的方法暴露在所述器件的表面。

8.根据权利要求1所述的半导体晶圆,其特征在于,所述划片区包括X划片道和Y划片道,所述X划片道的延伸方向与所述Y划片道的延伸方向垂直。

9.一种半导体晶圆的识别方法,其特征在于,所述半导体晶圆的识别方法包括以下步骤:

在半导体晶圆上设置图像识别区;

根据所述图像识别区的图像信息,获得所述半导体晶圆上的器件的位置信息。

10.根据权利要求9所述的半导体晶圆的识别方法,其特征在于,所述图像识别区包括设置在所述器件上的特征图形。

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