[发明专利]一种MOS器件漏电流瞬态采样装置及方法

权利要求书

1.一种MOS器件漏电流瞬态采样装置，其特征在于，包括：

MOS栅极瞬态电压发生器，与被测MOS器件的栅极相连，用于输出一瞬态脉冲信号给被测MOS器件的栅极；

MOS漏极电流测试电路，其与所述被测MOS器件的漏极相连，且其输入端接收外部输入的漏极电压Vd，用于根据所述漏极电压Vd，输出采样得到的漏极电流信号Vo；

MOS漏极电流计算电路，其与所述MOS漏极电流测试电路的输出端双向连接，用于根据收到的所述漏极电流信号Vo和被测MOS器件的漏电流级别控制MOS漏极电流测试电路的漏电流采样数量级，且用于根据收到的所述漏极电流信号Vo计算得到被测MOS器件的瞬态漏电流值Id。

2.根据权利要求1所述的MOS器件漏电流瞬态采样装置，其特征在于：所述MOS漏极电流测试电路包括MOS漏电流采样电路和模拟量多路复用器，所述模拟量多路复用器与MOS漏电流采样电路内部信号连接，且所述模拟量多路复用器的输入端接入所述漏极电压Vd，输出端输出所述漏极电流信号Vo且与MOS漏极电流计算电路相双向连接。

3.根据权利要求2所述的MOS器件漏电流瞬态采样装置，其特征在于：所述MOS漏电流采样电路包括多路漏电流采样单元，每一路漏电流采样单元对应通过一个漏电压开关与被测MOS器件的漏极相连。

4.根据权利要求3所述的MOS器件漏电流瞬态采样装置，其特征在于：所述每一路漏电流采样单元均包括一运算放大器，所述运算放大器的反相输入端通过对应的所述漏电压开关接被测MOS器件的漏极，同相输入端输入由模拟量多路复用器输入的一路漏极电压。

5.根据权利要求2所述的MOS器件漏电流瞬态采样装置，其特征在于：所述模拟量多路复用器包括漏极电压多路复用模块和漏极电流信号多路复用模块，所述漏极电压多路复用模块接所述漏极电压Vd，用于根据所述MOS漏极电流计算电路的控制，选择一路漏极电压输出；所述漏极电流信号多路复用模块输出所述漏极电流信号Vo，用于根据所述MOS漏极电流计算电路的控制，选择一路漏极电流输出。

6.根据权利要求5所述的MOS器件漏电流瞬态采样装置，其特征在于：所述漏极电压多路复用模块包括多路漏极电压信号通道，所述漏极电流信号多路复用模块包括多路漏极电流信号通道，所述漏极电压信号通道与漏极电流信号通道一一对应。

7.根据权利要求1所述的MOS器件漏电流瞬态采样装置，其特征在于：所述MOS漏极电流计算电路将所述漏极电流信号Vo与其内预设的漏极电压最大阈值Vmax和最小阈值Vmin相比，控制所述MOS漏极电流测试电路的漏电流采样数量级。

8.根据权利要求7所述的MOS器件漏电流瞬态采样装置，其特征在于：若当检测到所述漏极电流信号Vo超出最大阈值Vmax时，则控制MOS漏极电流测试电路切换到大一个数量级的电流采样；当检测到所述漏极电流信号Vo小于最小阈值Vmin时，则控制MOS漏极电流测试电路切换到小一个数量级的电流采样；当检测到输出漏极电流信号Vo大于最小阈值Vmin且小于最大阈值Vmax时，则根据所述漏极电流信号Vo计算被测MOS器件的瞬态漏电流值Id。

9.根据权利要求8所述的MOS器件漏电流瞬态采样装置，其特征在于：所述瞬态漏电流值Id基于基尔霍夫电流定律计算。

10.基于权利要求1-9中任一项所述MOS器件漏电流瞬态采样装置的采样方法，其特征在于，所述方法包括：

S100，所述MOS栅极瞬态电压发生器输出一瞬态脉冲信号给被测MOS器件的栅极；

S200，所述MOS漏极电流测试电路接收外部输入的漏极电压Vd，根据所述漏极电压Vd，输出采样得到的漏极电流信号Vo；

S300，所述MOS漏极电流计算电路根据收到的所述漏极电流信号Vo和被测MOS器件的漏电流级别控制MOS漏极电流测试电路的漏电流采样数量级，且用于根据收到的所述漏极电流信号Vo计算得到被测MOS器件的瞬态漏电流值Id。