[发明专利]低成本的磁存储磁性复合多层膜

权利要求书

1.一种低成本的磁存储磁性复合多层膜，其特征在于：所述低成本的磁存储磁性复合多层膜自下而上依次包括：基片层、第一Fe层、第一Cu层、第二Fe层、第二Cu层、第三Fe层、第三Cu层、第一Ta层、FeSiB层、第一MgO层、FeZrB层、金属W层、FeZrSiB层、第二MgO层以及第二Ta层。

2.如权利要求1所述的具有稀土掺杂层的磁存储复合多层膜，其特征在于：其中，所述第一Fe层是由直流溅射法沉积的，并且其中，直流溅射法沉积第一Fe层的具体工艺为：溅射靶材为金属Fe，溅射气氛为氩气，溅射电流为60-90mA，溅射时间为5-10min，溅射气压为2-3Pa，溅射温度为150-200℃，第一Fe层的厚度为1-3nm。

3.如权利要求2所述的具有稀土掺杂层的磁存储复合多层膜，其特征在于：其中，所述第一Cu层是由直流溅射法沉积的，并且其中，直流溅射法沉积第一Cu层的具体工艺为：溅射靶材为金属Cu，溅射气氛为氩气，溅射电流为100-120mA，溅射时间为5-10min，溅射气压为2-3Pa，溅射温度为180-230℃，所述第一Cu层的厚度为0.9-1.4nm。

4.如权利要求3所述的具有稀土掺杂层的磁存储复合多层膜，其特征在于：其中，所述第三Cu层是由直流溅射法沉积的，并且其中，直流溅射法沉积第三Cu层的具体工艺为：溅射靶材为金属Cu，溅射气氛为氩气，溅射电流为60-120mA，溅射时间为5-10min，溅射气压为2-3Pa，溅射温度为180-230℃，所述第三Cu层的厚度为0.7-1.2nm。

5.如权利要求4所述的具有稀土掺杂层的磁存储复合多层膜，其特征在于：其中，所述第一Ta层是由直流溅射法沉积的，并且其中，直流溅射法沉积第一Ta层的具体工艺为：溅射靶材为金属Ta，溅射气氛为氩气，溅射电流为50-100mA，溅射时间为5-10min，溅射气压为2-3Pa，溅射温度为150-200℃，所述第一Ta层的厚度为1.5-3nm。

6.如权利要求5所述的具有稀土掺杂层的磁存储复合多层膜，其特征在于：其中，所述FeSiB层是由直流溅射法沉积的，并且其中，直流溅射法沉积FeSiB层的具体工艺为：溅射靶材为Fe_90-x-ySi_xB_y，其中，x＝5-10，y＝5-10，溅射电流为70-120mA，溅射时间为5-10min，溅射气压为2-3Pa，溅射温度为200-300℃，所述FeSiB层的厚度为0.5-0.8nm。

7.如权利要求6所述的具有稀土掺杂层的磁存储复合多层膜，其特征在于：其中，所述FeZrB层是由直流溅射法沉积的，并且其中，直流溅射法沉积FeZrB层的具体工艺为：溅射靶材为Fe_90-x-yZr_xB_y，其中，x＝2-3，y＝4-8，溅射电流为80-130mA，溅射时间为5-10min，溅射气压为2-3Pa，溅射温度为200-300℃，所述FeZrB层的厚度为0.7-0.9nm。

8.如权利要求7所述的具有稀土掺杂层的磁存储复合多层膜，其特征在于：其中，所述FeZrSiB层是由直流溅射法沉积的，并且其中，直流溅射法沉积FeZrSiB层的具体工艺为：溅射靶材为Fe₉₀Zr_10-x-ySi_xB_y，其中，x＝2-4，y＝2-4，溅射电流为50-100mA，溅射时间为5-10min，溅射气压为2-3Pa，溅射温度为200-300℃，所述FeZrSiB层的厚度为0.5-0.7nm。