[发明专利]用于存储器的刷新模式及存取模式

权利要求书

1.一种用于存储器的刷新及存取模式的设备，其包括：

存储器阵列；及

控制电路，其经耦合到所述存储器阵列且经配置以：

响应于第一寄存器值指示第一操作模式，根据第一刷新模式操作所述存储器阵列，在所述第一刷新模式中以第一速率刷新所述存储器阵列；

响应于所述第一寄存器值指示第二操作模式，根据第二刷新模式操作所述存储器阵列，在所述第二刷新模式中以所述第一速率刷新所述存储器阵列的第一区且以与所述第一速率不同的第二速率刷新所述存储器阵列的第二区；

响应于所述第一寄存器值指示所述第二操作模式，防止响应于经接收存取命令而存取所述存储器阵列的所述第二区，除非经由认证过程认证所述经接收存取命令；且

响应于所述第一寄存器值指示所述第一操作模式，允许响应于所述经接收存取命令而存取所述存储器阵列的所述第二区且存取所述存储器阵列的所述第一区而不经由所述认证过程进行认证。

2.根据权利要求1所述的设备，其中控制电路进一步经配置以通过比较相关联于所述经接收存取命令的值与存储在第二寄存器值中的值而执行所述认证过程。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包括：

存储器装置，其包括所述存储器阵列、所述控制电路及包含所述第一寄存器值的多个寄存器值；及

主机，其经由接口耦合到所述存储器装置，其中在所述存储器装置上执行认证过程且无来自所述主机的指导。

4.根据权利要求1所述的设备，其中响应于所述第一寄存器值指示所述第二操作模式，所述控制电路进一步经配置以：

根据第一存取模式存取所述存储器阵列的所述第一区；且

根据与所述第一存取模式不同的第二存取模式存取所述存储器阵列的所述第二区。

5.根据权利要求4所述的设备，其中响应于所述第一寄存器值指示所述第一操作模式，所述控制电路进一步经配置以根据所述第一存取模式存取所述存储器阵列的所述第一区及所述第二区。

6.根据权利要求4所述的设备，其中：

所述第一存取模式包括激活单个字线以感测经存储数据值；且

所述第二存取模式包括激活至少两个字线以感测所述经存储数据值。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述存储器阵列包括开放式感测线架构，且其中所述控制电路经配置以：

通过将对应于相同数据值的电荷存储到相邻单元中而将数据值存储在所述阵列的所述第二区中，其中所述相邻单元经耦合到第一感测线及不同字线；且

经由耦合到所述第一感测线及参考感测线的感测放大器读取存储在所述第二区内的数据值。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述存储器阵列包括开放式感测线架构，且其中所述控制电路经配置以：

通过以下步骤将数据值存储在所述阵列的所述第二区中：

将对应于真实数据值及补充数据值中的一者的电荷存储在耦合到第一感测线及第一字线的第一单元中；及

将对应于所述真实数据值及所述补充数据值中的另一者的电荷存储在耦合到互补感测线及不同字线的第二单元中；且

经由耦合到所述第一感测线及所述互补感测线的感测放大器读取存储在所述第二区内的数据值。

9.根据权利要求4所述的设备，其中所述存储器阵列包括折叠式感测线架构，且其中所述控制电路经配置以：

通过以下步骤将数据值存储在所述阵列的所述第二区中：

将对应于真实数据值及补充数据值中的一者的电荷存储在耦合到第一感测线及第一字线的第一单元中；及

将对应于所述真实数据值及所述补充数据值中的另一者的电荷存储在耦合到互补感测线及所述第一字线的第二单元中；且

经由耦合到所述第一感测线及所述互补感测线的感测放大器读取存储在所述第二区内的数据值。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一速率是比所述第二速率慢的速率。