[发明专利]微型发光二极管测试装置、制作方法、系统和测试方法在审
申请号: | 202010299585.7 | 申请日: | 2020-04-16 |
公开(公告)号: | CN112967945A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 刘海平;许时渊;唐彪 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;H01L33/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 朱阳波;温宏梅 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 测试 装置 制作方法 系统 方法 | ||
1.一种微型发光二极管测试装置,其特征在于,包括:
若干个间隔设置的测试探头,间隔设置的所述测试探头相互并联连接;
每个所述测试探头采用独立驱动方式进行驱动,每个所述测试探头用于对一微型发光二极管芯片进行测试。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管测试装置,其特征在于,所述测试探头包括驱动电路单元、绝缘层、正极供电触头和负极供电触头;所述正极供电触头和所述负极供电触头间隔设置在所述绝缘层的上端面的两侧并均与所述驱动电路单元电连接,所述驱动电路单元设置在所述绝缘层的下端面,所述上端面与所述下端面相对设置;其中,每个所述测试探头通过所述驱动电路单元独立驱动。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管测试装置,其特征在于,间隔设置的所述测试探头的正极供电触头相互并联,间隔设置的所述测试探头的负极供电触头相互并联。
4.根据权利要求2所述的微型发光二极管测试装置,其特征在于,在测试过程中,所述正极供电触头和所述负极供电触头分别用于与所述微型发光二极管芯片的两个电极接触。
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管测试装置,其特征在于,所述微型发光二极管芯片为倒装芯片,所述微型发光二极管芯片包括发光层、第一型半导体层、第二型半导体层、第一型电极和第二型电极;所述发光层设置在所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间,所述第一型电极设置在所述第一型半导体层上,所述第二型电极设置在所述第二型半导体层上;在测试过程中,所述正极供电触头与所述第一型电极连接,所述负极供电触头与所述第二型电极连接。
6.根据权利要求2-5任意一项所述的微型发光二极管测试装置,其特征在于,每个所述测试探头上的所述正极供电触头和所述负极供电触头之间的间距与每一所述微型发光二极管芯片上的两个电极之间的间距相等。
7.根据权利要求2所述的微型发光二极管测试装置,其特征在于,所述绝缘层为二氧化硅钝化层。
8.一种微型发光二极管测试装置制作方法,应用于权利要求1-7中任一项所述的微型发光二极管测试装置中,其特征在于,包括:
提供一驱动电路板,所述驱动电路板上设置有多个驱动电路单元;
在所述驱动电路板上对光阻进行图案化,定义每个所述驱动电路单元所对应的正极供电触头区域和负极供电触头区域;
通过剥金去除多余光阻和多余金属,在所述正极供电触头区域形成图案化的正极供电触头和在所述负极供电触头区域形成图案化的负极供电触头;
在所述驱动电路板上端制作绝缘层,再次对光阻进行图案化,并定义所述正极供电触头和所述负极供电触头的区域;
刻蚀所述绝缘层以露出所述正极供电触头和所述负极供电触头。
9.一种微型发光二极管测试系统,其特征在于,包括:
定位模组,所述定位模组用于寻找所述微型发光二极管装置的检测点;载台,所述载台用于将所述微型发光二极管装置转移至检测点;光性设备,所述光性设备用于检测微型发光二极管芯片的光性参数;电性设备;以及如权利要求1-7中任一项所述的微型发光二极管测试装置,所述微型发光二极管测试装置与所述电性设备电连接,所述电性设备用于通过所述微型发光二极管测试装置测试微型发光二极管芯片的电性参数。
10.一种微型发光二极管测试方法,其特征在于,所述测试方法包括;
将微型发光二极管测试装置转移至测试点,其中,所述微型发光二极管测试装置包括多个测试探头,每个所述测试探头采用独立驱动方式进行驱动,所述测试点有多个待测试的微型发光二极管芯片;
将每一所述测试探头的正极供电触头和负极供电触头分别与每一所述微型发光二极管芯片的两个电极接触,以采集每个所述微型发光二极管芯片的电性参数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造