[发明专利]一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法在审
| 申请号： | 202010300158.6 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111446178A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/488;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚酰亚胺 结合 元件 加工 方法 | ||
1.一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
S0在晶圆基板上以等离子体增强型化学气相沉积法工艺沉积形成氮化硅层(3)并完成刻蚀,在氮化硅层(3)上完成钨塞通孔工艺及钨化学气相淀积形成钨柱(6)；
S1以物理气相沉积工艺在氮化硅层(3)和钨柱(6)上沉积形成铜种子层(8)；
S2以光阻涂布技术在铜种子层(8)上生成掩膜图案，掩膜图案为光阻层(9)，对光阻层(9)进行黄光工艺；
S3以单片式电镀工艺在钨柱(6)上方生成铜柱(1)，所述铜柱(1)高度为5至10um；
S4用有机溶剂去除铜种子层(8)上的光阻层(9)；
S5以湿法蚀刻氮化硅层(3)上的铜种子层(8)蚀刻去除图案下的铜种子层(8)；
S6在氮化硅层(3)上涂布聚酰亚胺，所述聚酰亚胺层(4)厚度高于铜柱高，进行黄光工艺使聚酰亚胺层(4)覆盖铜柱(1)边缘并包裹铜柱(1)顶部；
S7以干法蚀刻氮化硅层(3)上聚酰亚胺层(4)，使铜柱(1)上部结构露出，蚀刻至铜柱(1)上部露出深度0.5至2um，以温度350～450℃固化保留的聚酰亚胺层(4)，所述聚酰亚胺层(4)固化形成钝化保护层；
S8以选择性化学镀方式形成铜柱(1)的贵金属包覆层(2)；
S9在贵金属包覆层(2)上焊接引线框架(5)，所述引线框架(5)和贵金属包覆层(2)的焊接接触面形成共熔合金接触层。
2.根据权利要求1所述的一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，其特征在于：在步骤S1中，所述铜种子层(8)的厚度大于
3.根据权利要求1所述的一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，其特征在于：在步骤S3中，还包括以槽式电镀工艺在钨柱上生成铜柱(1)。
4.根据权利要求1所述的一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，其特征在于：在步骤S6中，所述聚酰亚胺层(4)包裹铜柱顶部距离大于0.1um。
5.根据权利要求1所述的一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，其特征在于：在步骤S7中，所述干法蚀刻是利用氧气电浆蚀刻聚酰亚胺层(4)。
6.根据权利要求1所述的一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，其特征在于：在步骤S8中，所述贵金属包覆层(2)包覆为镍、钯和金的组合。
7.根据权利要求6所述的一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，其特征在于：所述贵金属包覆层(2)中镍厚度为1.5至3.5微米，钯厚度为0.15至0.35微米，金厚度为0.02至0.05微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
