[发明专利]一种变斜率放电驱动电路

权利要求书

1.一种变斜率放电驱动电路，输入信号为DC-DC变换器中高侧功率管的栅极逻辑控制信号，输出信号连接所述高侧功率管的栅极，其特征在于，所述变斜率放电驱动电路包括电平位移器、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第一电阻、第三电阻、第一电容、第一NMOS管、第一耐压NMOS管、第二耐压NMOS管、第三耐压NMOS管、第二耐压PMOS管、第三耐压PMOS管和第四耐压PMOS管；

电平位移器的输入端连接所述变斜率放电驱动电路的输入信号，其输出端连接第一反相器的输入端；所述电平位移器用于将处于低电源轨电压域的所述变斜率放电驱动电路的输入信号提升到高电源轨电压域，其中低电源轨为低电源电压到地电平，高电源轨为高电源电压到地电平；

第二反相器的输入端连接第一反相器的输出端并通过第一电阻后连接所述高电源电压，其输出端输出第一控制信号并连接第三反相器的输入端、第二耐压NMOS管的栅极和第二耐压PMOS管的栅极；

第三反相器的输出端输出第二控制信号并连接第四反相器的输入端和第一电容的一端；

将所述第二控制信号进行充电后获得第三控制信号，充电后获得的所述第三控制信号的电源轨为两倍高电源电压到高电源电压；所述第三控制信号连接第一NMOS管的栅极并用于为所述高侧功率管充电；

第一NMOS管的漏极连接第二耐压PMOS管的源极和第三耐压PMOS管的栅极并连接所述高电源电压，其源极连接第一电容的另一端、第三耐压PMOS管的源极和第二耐压PMOS管的衬底；

第二耐压NMOS管的漏极连接第二耐压PMOS管的漏极、第三耐压PMOS管的漏极和第一耐压NMOS管的栅极，其源极连接地电平；

第四耐压PMOS管的栅极连接第一耐压NMOS管的源极和所述DC-DC变换器中高侧功率管与低侧功率管的连接点，其源极连接第一耐压NMOS管的漏极并输出所述变斜率放电驱动电路的输出信号，其漏极通过第三电阻后连接第三耐压NMOS管的漏极；

第三耐压NMOS管的栅极连接第四反相器的输出信号经过第五反相器后的信号，其源极连接地电平。

2.根据权利要求1所述的变斜率放电驱动电路，其特征在于，所述变斜率放电驱动电路还包括第一耐压PMOS管、第二电阻和第二电容，第二电阻的一端连接所述高电源电压，另一端连接第一耐压PMOS管的栅极并通过第二电容后连接地电平；第一耐压PMOS管的源极连接所述第三控制信号，其漏极连接所述高侧功率管的栅极。

3.根据权利要求1或2所述的变斜率放电驱动电路，其特征在于，所述第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器和第五反相器为带放大功能的反相器。