[发明专利]一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺

说明书

本发明公开了一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆热处理工艺，包括以下步骤：将所述晶圆一端面与玻璃载板键合在一起；研磨所述晶圆的另一端面，使得所述晶圆薄化；蚀刻所述晶圆中部，使得所述晶圆的形状呈中央薄、边缘厚；对所述晶圆的另一端面依次进行黄光与离子注入工艺；通过雷射或电阻加热或紫外光照射解键合所述玻璃载板，清洗去除键合剂；进行热处理工艺，形成合金的欧姆接触电阻。与现有技术相比，本申请的晶圆双面电镀与热处理工艺，能够有效避免晶圆在热处理工艺或双面电镀工艺中的弯曲变形。

技术领域

本发明涉及晶圆加工领域，具体涉及一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺。

背景技术

目前在MOSFET与IGBT的功率器件及3-D器件的晶片生产工艺中，为了能够生产制造超薄晶圆，需要将晶圆与玻璃载板键合在一起，将晶圆搭载在玻璃载板上，从而便于晶圆的加工与传送；抑或是或是使用太鼓工艺晶圆(Taico Wafer)，薄化晶圆,可进行晶片背面减薄后的光刻图案、刻蚀、离子植入、退火、进行金属淀积等工艺。

在键合玻璃载板的工艺中，可以薄化玻璃载板，但是不能连续进行双面电镀工艺，并且由于玻璃载板的不耐高温，无法进行热处理工艺。

在太鼓工艺中，晶圆不需要键合玻璃载板，但是晶圆被薄化后，在热处理工艺中，晶圆容易受热变形弯曲，易碎裂，因而，在完成太鼓太鼓工艺后，往往需要去除晶圆的弯曲边缘，造成材料损失。另一方面，在进行金属淀积(蒸镀/溅镀/电镀/化镀)时，晶片还需要特别夹具与载具。尤其在目前电镀设备的化学液槽式中，批量多片式的夹具设计，因为薄晶片易因槽中镀液，为了均化镀液金属离子密度需特定循环流场，而致晃动甚至破片。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提出了一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺，既可以进行双面电镀，又能够避免在热处理工艺中的边缘变形。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种晶圆热处理工艺，包括以下步骤：

将所述晶圆一端面与玻璃载板键合在一起；

研磨所述晶圆的另一端面，使得所述晶圆薄化；

蚀刻所述晶圆中部，使得所述晶圆的形状呈中央薄、边缘厚；

对所述晶圆的另一端面依次进行黄光与离子注入工艺；

通过雷射或电阻加热或紫外光照射解键合所述玻璃载板，清洗去除键合剂；

进行热处理工艺，形成合金的欧姆接触电阻。

进一步地，经过蚀刻后，所述晶圆的形状为阶梯形或斜坡形。

进一步地，经过蚀刻后，所述晶圆最薄处厚度为20～100微米。

进一步地，所述热处理工艺中，将所述晶圆放入炉管设备中，通入氮气后，进行加热。

进一步地，所述玻璃载板厚度为400～700微米。

进一步地，所述晶圆经过研磨后，最厚处厚度为200～400微米。

一种晶圆双面电镀工艺，包括以下步骤：

将所述晶圆一端面与玻璃载板键合在一起；

研磨所述晶圆的另一端面，使得所述晶圆薄化；

蚀刻所述晶圆中部，使得所述晶圆的形状呈中央薄、边缘厚；

对所述晶圆的另一端面依次进行黄光与离子注入工艺；

通过雷射或电阻加热或紫外光照射解键合所述玻璃载板，清洗去除键合剂；

进行双面电镀工艺。