[发明专利]一种基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置

权利要求书

1.一种基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置的位移变化判断方法，包括泄漏辐射显微系统，所述泄漏辐射显微系统沿光信号走向依次包括激光器、透镜组、偏振片、半玻片、入射物镜、压电陶瓷位移平台、收集物镜、收集透镜以及成像相机，所述位移平台上设有位移传感芯片，其特征在于，所述位移传感芯片为布洛赫表面波单向耦合芯片，所述布洛赫表面波单向耦合芯片包括布拉格反射单元，所述布拉格反射单元的顶层中设有不对称狭缝结构，所述不对称狭缝结构包括两个宽度和深度均不相同的单狭缝，其中一个单狭缝的宽度在510nm到550nm之间，深度在380nm到420nm之间；另一个单狭缝的宽度在210nm到250nm之间，深度在70nm到110nm之间；所述布洛赫表面波单向耦合芯片在所述压电陶瓷位移平台移动时相对于高斯光场沿所述不对称狭缝结构的狭缝宽度方向发生移动，以根据布洛赫表面光场消光比的变化判断位移变化。

2.根据权利要求1所述的基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置的位移变化判断方法，其特征在于，所述激光器为超连续可调谐激光器。

3.根据权利要求1所述的基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置的位移变化判断方法，其特征在于，所述布拉格反射单元包括交替排布的高折射率介质层和低折射率介质层。

4.根据权利要求1所述的基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置的位移变化判断方法，其特征在于，所述布拉格反射单元的顶层为低折射率介质缺陷层。

5.根据权利要求1所述的基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置的位移变化判断方法，其特征在于，所述布洛赫表面波单向耦合芯片还包括一玻璃基底，所述布拉格反射单元排布在该玻璃基底上。

6.根据权利要求1所述的基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置的位移变化判断方法，其特征在于，所述两个单狭缝平行正对且长度相等。

7.根据权利要求1所述的基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置的位移变化判断方法，其特征在于，所述两个单狭缝的长度大于4μm。