[发明专利]分栅快闪存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区，所述存储区形成有字线栅极；

在所述字线栅极上形成硬掩模层以及图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层覆盖了所述字线栅极，并暴露出所述存储区未形成字线栅极的区域，同时还暴露出所述字线栅极的端面上的硬掩模层；

以图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩模层，并暴露出所述字线栅极的端面；

去除剩余的光刻胶层；

在所述端面处形成侧墙结构，所述侧墙结构覆盖了所述端面；

湿法去除所述硬掩模层。

2.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，在所述端面处形成侧墙结构包括以下步骤：

在所述半导体衬底上形成侧墙结构膜层；

刻蚀所述侧墙结构膜层，以形成侧墙结构。

3.如权利要求2所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺在所述半导体衬底上形成侧墙结构膜层。

4.如权利要求3所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，所述侧墙结构膜层为氧化物层，又或者为氧化物-氮化物叠层。

5.如权利要求4所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，所述侧墙结构膜层的厚度在之间。

6.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，所述存储区具有多个相邻设置的存储单元，所述存储单元呈方形，多个所述字线栅极相邻并列设置在所述存储单元中，沿所述字线栅极的延伸方向上，所述字线栅极具有两个端面，这两个端面暴露在刻蚀环境中。

7.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，湿法去除所述硬掩模层的湿法刻蚀工艺采用了热H3PO4溶液或者HF/EG溶液。

8.如权利要求7所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，所述热H3PO4溶液包括H3PO4和去离子水，H3PO4的浓度为90-99％，温度范围在120-200℃之间；所述HF/EG溶液包括氟化氢、乙二醇和去离子水，其中，HF的浓度为1-3％，EG的浓度为90～96％，温度范围在60～90℃之间。

9.一种分栅快闪存储器，其特征在于，通过如权利要求1-8中任一项所述的制备方法制备而成。