[发明专利]一种基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片

权利要求书

1.一种基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，包括一玻璃基底以及排布在该玻璃基底上的布拉格反射单元，其特征在于，所述布拉格反射单元中设有不对称双狭缝结构。

2.根据权利要求1所述的基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，其特征在于，所述布拉格反射单元由高折射率介质层和低折射率介质层交替组成，其顶层为低折射率介质缺陷层。

3.根据权利要求2所述的基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，其特征在于，所述低折射率介质缺陷层中刻写有不对称双狭缝结构。

4.根据权利要求1所述的基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，其特征在于，所述不对称双狭缝结构包括两个平行正对的单狭缝。

5.根据权利要求4所述的基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，其特征在于，所述两个单狭缝的间距d满足k_BSW×d＝π/2，其中，k_BSW表示布洛赫表面波波矢。

6.根据权利要求4所述的基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，其特征在于，所述两个单狭缝的宽度和深度设置为使得两个单狭缝激发的布洛赫表面波振幅相等，初始相位差为π/2。

7.根据权利要求4所述的基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，其特征在于，所述两个单狭缝的长度相同。

8.根据权利要求7所述的基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，其特征在于，所述两个单狭缝的长度大于4μm。

9.根据权利要求2所述的基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，其特征在于，所述高折射率介质层的材质为Si₃N₄，所述低折射率介质层的材质为SiO₂。

10.根据权利要求2所述的基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，其特征在于，所述布拉格反射单元共设置18层。