[发明专利]III族氮化物半导体的制造方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体的制造方法，其具有如下工序：

准备从背面向表面依次层叠有第一III族氮化物层和第二III族氮化物层的III族氮化物基板的工序，所述第一III族氮化物层对于400nm～700nm的规定波长具有60％以上的透射率，所述第二III族氮化物层以1×10²⁰cm^-3以上的浓度含有作为杂质的氧，且对于所述规定波长具有0.1％以下的透射率，并设置在所述第一III族氮化物层上；

在所述III族氮化物基板的表面侧形成设备结构的工序；以及

使激光的聚光点在从所述III族氮化物基板的背面侧的所述第一III族氮化物层比所述第二III族氮化物层更靠前处聚集，利用多光子吸收在所述第一III族氮化物层形成内部改性层，以所述内部改性层作为边界来分割所述III族氮化物基板的工序。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体的制造方法，其中，准备所述III族氮化物基板的工序具有如下工序：

准备种基板的工序；

在所述种基板上进行所述第一III族氮化物层的结晶生长的工序；

分离所述种基板的工序；

通过磨削和研磨对所述第一III族氮化物层的表面进行镜面加工的工序；

通过氧化物气相外延法在所述种基板上进行所述第二III族氮化物层的结晶生长的工序；

分离所述种基板的工序；

对所述第二III族氮化物层的表面进行磨削和研磨加工的工序；以及

将已分离的所述第一III族氮化物层与所述第二III族氮化物层进行贴合的工序。

3.根据权利要求2所述的III族氮化物半导体的制造方法，其中，准备所述III族氮化物基板的工序还具有如下工序：

在所述第二III族氮化物层上，进行对于所述规定波长具有60％以上的透射率的第三III族氮化物层的结晶生长的工序。

4.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体的制造方法，其中，所述设备结构包含功能层、电极和绝缘膜。

5.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体的制造方法，其中，所述III族氮化物基板是用GaN形成的。