[发明专利]AlGaInP基发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种AlGaInP基发光二极管芯片，所述AlGaInP基发光二极管芯片包括蓝宝石衬底(301)以及外延层，所述外延层包括依次层叠设置在所述蓝宝石衬底(301)上的P型欧姆接触层(109)、窗口层(108)、P型电流扩展层(107)、P型限制层(106)、发光层(105)、N型限制层(104)、第一反射层(103)、N型扩展层(102)和N型欧姆接触层(101)，所述N型欧姆接触层(101)上设有N型电极(401)，所述P型欧姆接触层(109)上设有P型电极(402)，其特征在于，

所述AlGaInP基发光二极管芯片还包括设置在所述蓝宝石衬底(301)和所述外延层之间的粗化键合层(110)、以及设置在所述蓝宝石衬底(301)和所述粗化键合层(110)之间的复合键合层(201)，所述复合键合层(201)为Al₂O₃/Si₃N₄/SiO₂复合层，所述粗化键合层(110)为P型Gap层，所述粗化键合层(110)的与所述复合键合层(201)接触的一面上形成有粗化结构。

2.根据权利要求1所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述复合键合层(201)中的Al₂O₃层与Si₃N₄层的厚度相等，所述复合键合层(201)中的SiO₂层的厚度大于Al₂O₃层的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述AlGaInP基发光二极管芯片还包括包覆在所述外延层上的钝化层(501)，所述钝化层(501)为Al₂O₃层。

4.根据权利要求3所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述AlGaInP基发光二极管芯片还包括包覆在所述钝化层(501)外的第二反射层(502)，所述第二反射层(502)为TiO_x/SiO_x超晶格结构。

5.根据权利要求1或2所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述AlGaInP基发光二极管芯片还包括设置在所述P型电极(402)和所述N型电极(401)上的金属层(600)，所述金属层(600)为Ti/Al/Ti/Ni/Pt/Ni/Au复合层。

6.根据权利要求1或2所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述第一反射层(103)为AlInP/AlGaInP超晶格结构。

7.根据权利要求1或2所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述N型电极(401)为AuGeNi/Au/Ni/Pt/Au复合层，所述P型电极(402)为AuBe/Au/Pt/Ti/Au复合层。

8.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在N型GaAs衬底上依次生长腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型扩展层、第一反射层、N型限制层、发光层、P型限制层、P型电流扩展层、窗口层、P型欧姆接触层；

在所述P型欧姆接触层上形成粗化键合层，所述粗化键合层为P型Gap层；

对所述粗化键合层的远离所述P型欧姆接触层的一面进行粗化；

在所述粗化键合层的粗化表面上形成复合键合层，所述复合键合层为Al₂O₃/Si₃N₄/SiO₂复合层；

去除所述N型GaAs衬底和所述腐蚀停层，并在所述复合键合层上设置蓝宝石衬底；

在所述N型欧姆接触层的远离所述蓝宝石衬底的一面上形成N型电极；

在所述P型欧姆接触层的远离所述蓝宝石衬底的一面上形成P型电极。