[发明专利]复合材料及其制备方法、量子点发光二极管有效
| 申请号： | 202010303448.6 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN113258009B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 苏亮 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 孔令聪 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
1.一种用于量子点发光二极管空穴传输层的复合材料，其特征在于，所述复合材料包括半导体材料和掺杂于所述半导体材料中的p型掺杂剂，所述半导体材料选自过渡金属硒化物，所述p型掺杂剂为全氟烷基硅烷，所述全氟烷基硅烷选自全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷与全氟辛基三氯硅烷中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述半导体材料的平均粒径范围为1nm~100nm。
3.根据权利要求1~2任一项所述的复合材料，其特征在于，所述半导体材料选自MoSe2与WSe2中的至少一种。
4.一种用于量子点发光二极管空穴传输层的复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上形成半导体材料；
在所述半导体材料的表面注入p型掺杂剂或者p型掺杂剂溶液，热处理后得到复合材料；
所述半导体材料选自过渡金属硒化物，所述p型掺杂剂为全氟烷基硅烷，所述全氟烷基硅烷选自全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷与全氟辛基三氯硅烷中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为60℃~80℃，所述热处理的时间为1h~2h。
6.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括空穴传输层，所述空穴传输层包括权利要求1~3中任一项所述的复合材料或权利要求4~5任一项所述的制备方法制备的复合材料。
7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述复合材料中半导体材料的价带顶能级为5电子伏特~8电子伏特；和/或，
所述空穴传输层的厚度为10nm~100nm。
8.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为20nm~50nm。
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