[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一第一开口穿过一第一源极/漏极接触件上的一介电层，该第一开口的侧壁受损；

利用一氧化环境对该第一开口受损的侧壁进行修复；以及

使用一具方向性的沉积工艺在该第一开口内沉积一第一导电填充材料。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中对该第一开口受损的侧壁进行修复包括重建该第一开口的侧壁处的氧化硅结构。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中形成该第一开口包括进行一非等向性反应离子蚀刻工艺，该非等向性反应离子蚀刻工艺使用氟碳分子作为一第一前驱物，以及使用氮分子作为一第二前驱物。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，还包括：

在重建该第一开口的侧壁处的氧化硅结构之后，且在沉积该第一导电填充材料之前，进行一氢等离子体处理以经由该第一开口自该第一源极/漏极接触件的一表面移除一氧化层。

5.一种半导体装置的制造方法，包括：

蚀刻出一第一导孔开口穿过一绝缘层以暴露出一鳍式场效晶体管装置的一源极/漏极区的一导电接触件的一表面，该第一导孔开口的侧壁表面在蚀刻出该第一导孔开口期间受损；

复原该第一导孔开口受损的侧壁；以及

使用一由下至上的沉积工艺形成一导电插塞穿过该第一导孔开口，且该导电插塞物理接触该导电接触件。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中复原该第一导孔开口受损的侧壁还包括进行一氧化表面处理。

7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中蚀刻出该第一导孔开口包括进行一非等向性等离子体蚀刻工艺，该非等向性等离子体蚀刻工艺使用氟碳和氢的组合作为一蚀刻剂。

8.一种半导体装置的制造方法，包括：

在一鳍式场效晶体管装置的一源极/漏极区上形成一第一金属化层；

在该第一金属化层上沉积一蚀刻停止层；

在该蚀刻停止层上沉积一隔离层；

蚀刻出一第一导孔开口穿过该隔离层和该蚀刻停止层以暴露出该第一金属化层的一接触面积，该第一导孔开口的侧壁表面处的氧化硅结构在蚀刻出该第一导孔开口期间受损；

重建该第一导孔开口的侧壁表面处的氧化硅结构；

在该第一导孔开口内沉积一第一金属柱，且该第一金属柱物理接触该第一金属化层的该接触面积；以及

在形成该第一金属柱之后，形成一第二金属柱穿过该隔离层，且该第二金属柱物理接触该鳍式场效晶体管装置的一栅极电极。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中蚀刻出该第一导孔开口包括过度蚀刻该第一金属化层，其中过度蚀刻该第一金属化层在该第一金属化层与该蚀刻停止层的一底面之间形成一底切。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中形成该第二金属柱还包括：

形成一第二导孔开口，且在该栅极电极上暴露出一接触面积；以及

在不重建该第二导孔开口的侧壁表面处的氧化硅结构的情况下，在该第二导孔开口内沉积该第二金属柱，且该第二金属柱物理接触该栅极电极的该接触面积。