[发明专利]使用多个流动途径的自由基化学调制及控制

权利要求书

1.一种用于半导体处理的系统，所述系统包含：

腔室，所述腔室被配置为在所述腔室的处理区域内容纳半导体基板；

第一远端等离子体系统，所述第一远端等离子体系统与所述腔室的第一出入口流体耦接并且被配置为通过所述第一出入口将第一前驱物输送至所述腔室内；

第二远端等离子体系统，所述第二远端等离子体系统与所述腔室的第二出入口流体耦接且被配置为通过所述第二出入口将第二前驱物输送至所述腔室内；以及

气体分配组件，所述气体分配组件被配置为将所述第一前驱物和所述第二前驱物两者输送至所述腔室的所述处理区域内，其中所述气体分配组件被配置为保持所述第一前驱物和所述第二前驱物彼此流体隔离，直至所述第一前驱物和所述第二前驱物被输送至所述腔室的所述处理区域为止，

其中所述气体分配组件的接触所述第一前驱物的第一部分由所述第一前驱物不与其化学反应的材料组成，并且其中所述气体分配组件的接触所述第二前驱物的第二部分由所述第二前驱物不与其化学反应的材料组成。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统被配置为保持所述第一前驱物和所述第二前驱物彼此流体隔离，直至所述第一前驱物和所述第二前驱物被输送至所述腔室的所述处理区域为止。

3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一出入口被定位为靠近所述腔室的顶部或位于所述腔室的顶部处，并且所述第二出入口被定位为靠近所述腔室的侧部或位于所述腔室的侧部处。

4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述气体分配组件被定位在所述腔室内、在所述腔室的所述处理区域的顶部处或在所述处理区域上方。

5.如权利要求4所述的系统，其特征在于，所述气体分配组件包含上板和下板，其中所述上板和所述下板彼此耦接以限定在所述板之间的容积，其中所述板的耦接提供通过所述上板和所述下板的第一流体通道以及通过所述下板的第二流体通道，并且所述板的耦接被配置为提供从所述容积通过所述下板的流体出入口，并且其中所述第一流体通道与在所述板之间的所述容积以及所述第二流体通道流体隔离。

6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，可通过所述气体分配组件的侧面流体地进入所述容积，所述气体分配组件与所述腔室中的所述第二出入口流体耦接。

7.如权利要求6所述的系统，其特征在于，所述腔室被配置为通过所述腔室中的所述第一出入口以及通过所述气体分配组件中的所述第一流体通道将所述第一前驱物从所述第一远端等离子体系统提供进入所述腔室的所述处理区域内。

8.如权利要求6所述的系统，其特征在于，所述腔室被配置为通过所述腔室中的所述第二出入口将所述第二前驱物从所述第二远端等离子体系统提供进入所述腔室内、进入被限定在所述上板与所述下板之间的所述容积内并且通过所述气体分配组件中的所述第二流体通道进入所述腔室的所述处理区域内。

9.如权利要求7所述的系统，其特征在于，所述气体分配组件被配置为防止所述第二前驱物通过所述气体分配组件的所述上板的流动。

10.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一远端等离子体系统包含第一材料并且所述第二远端等离子体系统包含第二材料。

11.如权利要求10所述的系统，其特征在于，所述第一材料基于所述第一前驱物的组成而被选择。

12.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述第二材料基于所述第二前驱物的组成而被选择。

13.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述第一材料和所述第二材料为不同的材料。