[发明专利]一种可调三维集成电容器及电容调节方法有效
申请号: | 202010305533.6 | 申请日: | 2020-04-17 |
公开(公告)号: | CN111477456B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 王凤娟;陈佳俊;余宁梅 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H01G4/38 | 分类号: | H01G4/38 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 韩玙 |
地址: | 710048 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可调 三维 集成 电容器 电容 调节 方法 | ||
1.一种可调三维集成电容器,其特征在于,包括多个三维集成电容(2)、多个TSV垂直开关a(4)、多个TSV垂直开关b(3),相邻两个所述三维集成电容(2)之间设置一个TSV垂直开关a(4)和一个TSV垂直开关b(3),每个所述TSV垂直开关a(4)漏极连接上一个三维集成电容(2)下极板,每个所述TSV垂直开关a(4)源极连接下一个三维集成电容(2)上极板,每个所述TSV垂直开关b(3)源极连接上一个三维集成电容(2)上极板,每个所述TSV垂直开关b(3)漏极连接下一个三维集成电容(2)下极板,每个所述三维集成电容(2)上极板、TSV垂直开关a(4)源极、TSV垂直开关b(3)源极连接同一上布线层(6),每个所述三维集成电容(2)下极板、TSV垂直开关a(4)漏极、TSV垂直开关b(3)漏极连接同一下布线层(7);
还包括输入端(1)、输出端(5),所述输入端(1)连接第一个三维集成电容(2)上极板,所述输出端(5)连接第一个三维集成电容(2)下极板;
所述三维集成电容(2)为N+1个,所述TSV垂直开关a(3)与TSV垂直开关b(4)均为N个,N是不小于1的整数;
所述上布线层(6)、下布线层(7)采用的是铜或铝。
2.一种可调三维集成电容器的电容调节方法,其特征在于,使用权利要求1所述一种可调三维集成电容器,具体操作方法为:将该可调三维集成电容器的输入端(1)、输出端(5)分别接到待控制电容的器件上,随后控制接入电路的多个三维电容个数,实现电容的调节;所述控制接入电路的多个三维电容个数过程为:控制每个三维电容的TSV垂直开关a(3)、TSV垂直开关b(4),当TSV垂直开关a(3)、TSV垂直开关b(4)同时接通,则该三维电容接入电路,否则,该三维电容未接入电路。
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