[发明专利]一种深沟槽刻蚀方法在审

专利信息
申请号: 202010305632.4 申请日: 2020-04-17
公开(公告)号: CN111584357A 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 李明;刁宇飞;姚雪霞 申请(专利权)人: 深圳方正微电子有限公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/02
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 谢曲曲
地址: 518172 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 深沟 刻蚀 方法
【权利要求书】:

1.一种深沟槽刻蚀方法,其特征在于,包括:

提供衬底;

在衬底上形成图形化掩膜层,所述图形化掩膜层内具有开口图形,所述开口图形定义出深沟槽的形状及位置;

使用包含NF3的刻蚀气体对所述衬底进行刻蚀,以于所述衬底内形成深沟槽;其中,刻蚀压力大于等于90mT和/或所述刻蚀气体中所述NF3的流量大于等于10SCCM。

2.根据权利要求1所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,所述刻蚀气体还包括HBr气体及He-O2混合气。

3.根据权利要求1所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,所述深沟槽的深度大于等于20um。

4.根据权利要求1所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,使用包含NF3的所述刻蚀气体对所述衬底进行分步刻蚀以形成所述深沟槽。

5.根据权利要求4所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,对所述衬底进行分步刻蚀包括如下步骤:

对所述衬底进行刻蚀,刻蚀时间为90~120秒,刻蚀深度大于等于0.7um;

对所述衬底进行冷却;

重复上述步骤若干次。

6.根据权利要求5所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,向所述衬底背面通入冷却气体以对所述衬底进行冷却,每次冷却时间大于10秒。

7.根据权利要求6所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,所述冷却气体为He气。

8.根据权利要求1至7任一项权利要求所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,所述形成深沟槽衬底之后,还包括:对所述深沟槽进行清洗,以去除所述深沟槽内残留的刻蚀产生的聚合物。

9.根据权利要求8所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,对所述深沟槽进行清洗包括如下步骤:

使用氢氟酸对所述深沟槽进行清洗,清洗时间为10~30秒;

使用一号清洗液对所述深沟槽进行清洗;所述一号清洗液为NH4OH、H2O2及H2O的混合溶液,所述混合溶液中NH4OH、H2O2及H2O的体积比为1:2:10;清洗时间为8~10分钟。

10.根据权利要求9所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,使用氢氟酸对所述深沟槽进行清洗之后,且使用一号清洗液对所述深沟槽进行清洗之前还包括:使用所述去离子水对所述深沟槽进行第一冲洗,所述第一次冲洗的时间为5~10分钟;使用所述一号清洗液对所述深沟槽进行清洗之后还包括如下步骤:

使用去离子水对所述深沟槽进行第二次冲洗,所述第二次冲洗的时间为10~15分钟;

将第二次冲洗后的所述衬底进行干燥。

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