[发明专利]一种深沟槽刻蚀方法在审
申请号: | 202010305632.4 | 申请日: | 2020-04-17 |
公开(公告)号: | CN111584357A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 李明;刁宇飞;姚雪霞 | 申请(专利权)人: | 深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/02 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 谢曲曲 |
地址: | 518172 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 深沟 刻蚀 方法 | ||
1.一种深沟槽刻蚀方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在衬底上形成图形化掩膜层,所述图形化掩膜层内具有开口图形,所述开口图形定义出深沟槽的形状及位置;
使用包含NF3的刻蚀气体对所述衬底进行刻蚀,以于所述衬底内形成深沟槽;其中,刻蚀压力大于等于90mT和/或所述刻蚀气体中所述NF3的流量大于等于10SCCM。
2.根据权利要求1所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,所述刻蚀气体还包括HBr气体及He-O2混合气。
3.根据权利要求1所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,所述深沟槽的深度大于等于20um。
4.根据权利要求1所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,使用包含NF3的所述刻蚀气体对所述衬底进行分步刻蚀以形成所述深沟槽。
5.根据权利要求4所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,对所述衬底进行分步刻蚀包括如下步骤:
对所述衬底进行刻蚀,刻蚀时间为90~120秒,刻蚀深度大于等于0.7um;
对所述衬底进行冷却;
重复上述步骤若干次。
6.根据权利要求5所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,向所述衬底背面通入冷却气体以对所述衬底进行冷却,每次冷却时间大于10秒。
7.根据权利要求6所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,所述冷却气体为He气。
8.根据权利要求1至7任一项权利要求所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,所述形成深沟槽衬底之后,还包括:对所述深沟槽进行清洗,以去除所述深沟槽内残留的刻蚀产生的聚合物。
9.根据权利要求8所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,对所述深沟槽进行清洗包括如下步骤:
使用氢氟酸对所述深沟槽进行清洗,清洗时间为10~30秒;
使用一号清洗液对所述深沟槽进行清洗;所述一号清洗液为NH4OH、H2O2及H2O的混合溶液,所述混合溶液中NH4OH、H2O2及H2O的体积比为1:2:10;清洗时间为8~10分钟。
10.根据权利要求9所述的深沟槽刻蚀方法,其特征在于,使用氢氟酸对所述深沟槽进行清洗之后,且使用一号清洗液对所述深沟槽进行清洗之前还包括:使用所述去离子水对所述深沟槽进行第一冲洗,所述第一次冲洗的时间为5~10分钟;使用所述一号清洗液对所述深沟槽进行清洗之后还包括如下步骤:
使用去离子水对所述深沟槽进行第二次冲洗,所述第二次冲洗的时间为10~15分钟;
将第二次冲洗后的所述衬底进行干燥。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造