[发明专利]裸芯顶出器及包含其的裸芯拾取装置在审
申请号: | 202010305697.9 | 申请日: | 2020-04-17 |
公开(公告)号: | CN111834276A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 李在卿;郑然赫;金应锡;金东真;姜泓求 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 尹洪波 |
地址: | 韩国忠清南道天*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 裸芯顶出器 包含 拾取 装置 | ||
本发明公开一种裸芯拾取装置。该裸芯拾取装置包括用于支承晶圆的晶圆台架,晶圆包括多个裸芯及裸芯附于其上的切割带,设置在支承于晶圆台架上的晶圆下方并配置为将裸芯自切割带分离的裸芯顶出器,以及用于拾取由裸芯顶出器分离的裸芯的拾取模块。该裸芯顶出器包括具有用于真空吸附切割带下表面的真空孔的罩,设置在罩中并配置为可沿垂直方向移动穿过罩以将裸芯自切割带分离的顶出构件,管状且耦接于罩下部的顶出器主体,以及根据裸芯厚度调节罩内真空度的真空控制部。
技术领域
本发明涉及一种裸芯顶出器及包含其的裸芯拾取装置。更具体地说,本发明涉及一种在裸芯粘合程序中用于将裸芯自切割带分离的裸芯顶出器以及包括该裸芯顶出器的裸芯拾取装置。
背景技术
通常,藉由重复执行一系列制造程序,半导体设备可在用作半导体基板的硅晶圆上形成。如上所述形成的半导体设备可藉由切割程序被个体化并可藉由裸芯粘合程序粘合到基板。
用于执行裸芯粘合程序的装置可包括:用于支承包括切割带及附于该切割带上的裸芯的晶圆的晶圆台架,用于将裸芯自切割带分离的裸芯顶出器;用于拾取藉由裸芯顶出器自切割带分离的裸芯的裸芯拾取模块,以及用于将由裸芯拾取模块拾取的裸芯粘合到如导线框架及印刷电路板的基板上的裸芯粘合模块。具体地,拾取的裸芯可转移到裸芯台架上,并且裸芯粘合模块可从裸芯台架上拾取裸芯并将裸芯粘合到基板上。
裸芯顶出器可包括:罩,其具有用于真空吸附切割带的下表面的真空孔;顶出构件,其设置在该罩中且配置为可沿垂直方向移动穿过该罩以将附于该切割带上的裸芯自该切割带分离;顶出器主体,其为管状且耦接于该罩的下部;以及真空源,其与该罩连接以在该罩内部提供真空压力。
该罩可与切割带的下表面紧密接触,并且该切割带可藉由经真空孔施加的真空压力而真空吸附在该罩上。然而,由于经真空孔施加的真空压力可能会损坏厚度相对较薄的裸芯。例如,当裸芯厚度约30μm或更小时,真空压力可能产生裂纹。
发明内容
本发明提供了一种能够在从切割带上拾取裸芯时防止裸芯损坏的裸芯顶出器以及包括该裸芯顶出器的裸芯拾取装置。
根据本发明的一个方面,裸芯顶出器可包括具有用于真空吸附切割带下表面的真空孔的罩,设置在罩中并配置为可沿垂直方向移动穿过罩以将附于切割带上的裸芯自切割带分离的顶出构件,为管状且耦接于罩下部的顶出器主体,以及用于根据裸芯厚度调节罩内的真空度的真空控制部。
根据本发明的一些实施例,真空控制部可包括:与罩连接以于罩内提供真空压力的真空源,连接于罩及真空源之间以控制罩内真空压力的真空调节单元,用于根据裸芯厚度控制真空调节单元的操作的真空控制单元,以及用于测量罩内真空压力的真空传感器。
根据本发明的一些实施例,真空控制部可包括分别与罩连接以于罩内提供不同真空压力的多个真空源,连接于罩及真空源之间并根据裸芯厚度选择性地将真空源之一与罩连接的阀单元,根据裸芯厚度控制阀单元的操作的真空控制单元,以及用于测量罩内真空压力的真空传感器。
根据本发明的另一个方面,一种裸芯拾取装置可包括用于支承晶圆的晶圆台架,该晶圆包括多个裸芯及裸芯附于其上的切割带,设置在支承于晶圆台架上的晶圆下方并配置为将裸芯自切割带分离的裸芯顶出器,以及用于拾取由裸芯顶出器分离的裸芯的拾取模块。该裸芯顶出器可包括具有用于真空吸附切割带下表面的真空孔的罩,设置在罩中并配置为可沿垂直方向移动穿过罩以将裸芯自切割带分离的顶出构件,管状且耦接于罩下部的顶出器主体,以及用于根据裸芯厚度调节罩内真空度的真空控制部。
根据本发明的一些实施例,该拾取模块可包括配置为可沿垂直方向移动以拾取由裸芯顶出器分离的裸芯的拾取器,以及用于控制拾取器的操作的拾取器控制部。
根据本发明的一些实施例,该拾取器控制部可控制拾取器的操作,使得拾取器与切割带上表面接触并与裸芯之一接触,并且可根据拾取器与切割带上表面接触的第一高度及拾取器与裸芯之一接触的第二高度计算裸芯的厚度。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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