[发明专利]晶圆刻蚀方法

权利要求书

1.一种晶圆刻蚀方法，其特征在于，包括：

预刻蚀步骤，刻蚀覆盖有图形化的掩膜层的晶圆，在所述晶圆的表面形成预设深度的刻蚀槽；

氧化刻蚀步骤，对所述刻蚀槽的底部和侧壁表面进行氧化形成氧化层，刻蚀所述氧化层，获得光滑的沉积表面；

沉积步骤，在所述光滑的沉积表面沉积聚合物层；

刻蚀步骤，对所述刻蚀槽的底部和侧壁进行刻蚀；

重复所述沉积步骤和所述刻蚀步骤直至形成目标深度的刻蚀槽。

2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，还包括：

计算所述晶圆边缘预设位置处刻蚀槽的内壁和外壁沉积聚合物层的不均匀度，分别获得气流场和电磁场对刻蚀的影响因子；根据所述影响因子选择对电磁场和/或气流场进行优化。

3.根据权利要求2所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述计算所述晶圆边缘预设位置处刻蚀槽的内壁和外壁沉积聚合物层的不均匀度，包括：

计算在所述沉积步骤不启动下电极，仅在气流场作用的情况下，所述晶圆边缘预设位置处刻蚀槽的内壁和外壁沉积聚合物层的第一不均匀度P₁；

计算在所述沉积步骤启动下电极，在气流场和电磁场的共同作用的情况下，所述晶圆边缘预设位置处刻蚀槽的内壁和外壁沉积聚合物层的第二不均匀度P₂。

4.根据权利要求3所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，通过以下公式计算所述第一不均匀度P₁：

其中，h₁为刻蚀槽的内壁沉积聚合物层的厚度值；h₂为刻蚀槽的外壁沉积聚合物层的厚度值。

5.根据权利要求4所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，通过以下公式计算所述第二不均匀度P₂：

其中，h₃为刻蚀槽的内壁沉积聚合物层的厚度值；h₄为刻蚀槽的外壁沉积聚合物层的厚度值；P₁为所述第一不均匀度。

6.根据权利要求5所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，通过以下公式分别获得所述气流场和电磁场对刻蚀的影响因子；

所述气流场对刻蚀的影响因子为N₁，通过以下公式计算N₁：

N₁＝P₁/(P₂+P₁)；

所述电磁场对刻蚀的影响因子为N₂，通过以下公式计算N₂：

N₂＝P₂/(P₂+P₁)。

7.根据权利要求5所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，根据所述影响因子选择对电磁场和/或气流场进行优化，包括：

当N₂≤20％时，对所述气流场进行优化；

当N₁≤20％时，对所述电磁场进行优化；

当20％N₁80％，20％N₂80％时，分别对所述电磁场和所述气流场进行优化。