[发明专利]功率半导体

权利要求书

1.一种功率半导体包括：

一闸极；

一源极，该源极包括：

一第一铜颗粒层，该第一铜颗粒层的厚度为5μm～100μm；及

一第一金属层，该第一铜颗粒层覆盖该第一金属层的上方表面；

一硅芯片，该硅芯片接合于该第一金属层的下方表面；

一汲极，该汲极接合于该硅芯片的下方表面；

其中，该第一铜颗粒层的厚度大于该第一金属层的厚度。

2.一种功率半导体包括：

一闸极；

一射极，该射极包括：

一第一铜颗粒层，该第一铜颗粒层的厚度为5μm～100μm；及

一第一金属层，该第一铜颗粒层覆盖该第一金属层的上方表面；

一硅芯片，该硅芯片接合于该第一金属层的下方表面；

一集极，该集极接合于该硅芯片的下方表面；

其中，该第一铜颗粒层的厚度大于该第一金属层的厚度。

3.如权利要求1或2所述的功率半导体，其中该第一铜颗粒层为多个大晶粒铜堆栈而成，且该大晶粒铜的颗粒大小为2um～50um。

4.如权利要求1或2所述的功率半导体，其中该第一金属层的材质为铝，且该第一金属层的厚度为0.25μm～6μm或0.25μm～1μm。

5.如权利要求1或2所述的功率半导体，其中该闸极包括一第四铜颗粒层及一第四金属层，该第四铜颗粒层覆盖该第四金属层的上方表面，该第四铜颗粒层的厚度为5μm～100μm。

6.一种功率半导体包括：

一闸极；

一源极，该源极包括：

一第一铜颗粒层；及

一第一金属层，该第一铜颗粒层覆盖该第一金属层的上方表面；

多个第一长条状金属层，该源极经由一第一金属柱连结每一个该第一长条状金属层；

一汲极，该汲极包括：

一第二铜颗粒层；及

一第二金属层，该第二铜颗粒层覆盖该第二金属层的上方表面；及

多个第二长条状金属层，该汲极经由一第二金属柱连结每一个该第二长条状金属层；

其中，该第一铜颗粒层的厚度大于该第一金属层的厚度，且该第二铜颗粒层的厚度大于该第二金属层的厚度，且该第一铜颗粒层及该第二铜颗粒层的厚度为5μm～100μm。

7.如权利要求6所述的功率半导体，其中该闸极包括多个闸极分支结构，且该闸极分支结构设置在该第一长条状金属层及该第二长条状金属层之间。

8.如权利要求6所述的功率半导体，其中该第一铜颗粒层及该第二铜颗粒层为多个大晶粒铜堆栈而成，且该大晶粒铜的颗粒大小为2um～50um。

9.如权利要求6所述的功率半导体，其中该第一金属层及该第二金属层的材质为铝，且该第一金属层及该第二金属层的厚度为0.25μm～6μm或0.25μm～1μm。

10.如权利要求6所述的功率半导体，其中该第一长条状金属层或该第二长条状金属层的上方表面设置一第三铜颗粒层，该第三铜颗粒层的厚度为5μm～100μm，且该第三铜颗粒层为多个大晶粒铜堆栈而成，该大晶粒铜的颗粒大小为2um～50um。