[发明专利]二极管制备方法及二极管在审
| 申请号： | 202010308038.0 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111489957A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李兵;葛宜威 | 申请（专利权）人： | 山东星合明辉电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 孟雪 |
| 地址： | 261500 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 制备 方法 | ||
1.一种二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在原料的表面涂敷保护层；
S2：去除部分所述保护层，使剩余的所述保护层在所述原料的表面形成若干独立的与芯片的表面相同的图形；
S3：腐蚀未覆盖所述保护层的所述原料的表面，形成若干独立的芯片晶粒；
S4：清除所述芯片晶粒的表面的所述保护层；
S5：在所述芯片晶粒的表面焊接电极；
S6：使用去离子水清洗所述芯片晶粒，对所述芯片晶粒的侧面的腐蚀区域进行上胶，经钝化、固化后，形成成品。
2.根据权利要求1所述的一种二极管制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述原料设为具有PN结结构的扩散片，所述扩散片的表面上设有镀镍层或镀金层。
3.根据权利要求1所述的一种二极管制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述保护层设为油墨；在步骤S2中，使用丝网印刷的方法去除部分所述保护层；在步骤S3中，使用将所述原料在混合酸溶液中浸泡的方式腐蚀未覆盖所述保护层的所述原料的表面。
4.根据权利要求3所述的一种二极管制备方法，其特征在于，所述混合酸溶液设为氢氟酸、硝酸、冰乙酸、硫酸按9:9:12:4的比例配置而成。
5.根据权利要求1所述的一种二极管制备方法，其特征在于，在步骤S4和步骤S5之间还包括以下步骤：使用有机溶剂对所述芯片晶粒进行超声清洗。
6.根据权利要求1所述的一种二极管制备方法，其特征在于，在步骤S5和步骤S6之间还包括以下步骤：使用碱性溶液清洗所述芯片晶粒并对所述芯片晶粒的侧面的腐蚀区域作绒面处理。
7.根据权利要求6所述的一种二极管制备方法，其特征在于，所述碱性溶液设为KOH或NaOH溶液。
8.一种二极管，其特征在于，采用如权利要求1-7中任一项所述的二极管制备方法制备而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
