[发明专利]带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管

权利要求书

1.一种带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管，其特征在于，包括：PN结，形成PN结的第一导电区域和第二导电区域，其中，

所述第一导电区域包括衬底和掺杂浓度低于所述衬底的外延层；

所述第二导电区域由元胞和等离子体扩散层构成；

所述元胞中的第一元胞包括第一区域和第二区域，所述第一区域的形状是六边形，所述第二区域的形状是环状正六边形，且所述第二区域环绕所述第一区域设置，相邻第二区域的环状正六边形连接在一起；

所述元胞中的第二元胞包括第三区域，所述第三区域的形状是六边形；且所述第三区域与所述第二区域连接；

所述等离子体扩散层包括多条条形结构的等离子扩散通道，所述等离子扩散通道用于连接多个构成第二导电区域元胞中的部分元胞，以使器件在承受浪涌电流冲击的情况下产生的等离子体，通过所述等离子扩散通道均匀的扩散到器件表面；所述等离子体扩散层包括：第一条形结构，所述第一条形结构穿过所述第一元胞和所述第二元胞的中心，且与被第一条形结构穿过的第一元胞的第一组对边垂直，以及与被第一条形结构穿过的第二元胞的第一组对边垂直；

所述等离子体扩散层包括：第二条形结构，所述第二条形结构穿过所述第一元胞和所述第二元胞的中心，且与被第二条形结构穿过的所述第一元胞的第二组对边垂直，以及与被第二条形结构穿过的第二元胞的第二组对边垂直，所述第一条形结构与所述第二条形结构夹角60度；

所述等离子体扩散层包括：第三条形结构，所述第三条形结构穿过所述第一元胞和所述第二元胞的中心，且所述第三条形结构与所述第一元胞的第一组对边平行或连接，以及与所述第二元胞的第一组对边平行或连接；

所述等离子体扩散层包括多个第四条形结构，所述第四条形结构穿过所述第一元胞和所述第二元胞的中心，所述第四条形结构与所述第一元胞的第二组对边平行或者连接，以及与所述第二元胞的第二组对边平行或者连接，所述第三条形结构与所述第四条形结构夹角60度；

交叉网状结构由所述第一条形结构、所述第二条形结构、所述第三条形结构与所述第四条形结构中的至少一种结构交叉组合构成，所述条形结构的数量基于工作状态进行调整，以实现各条形结构间间隔若干六边形元胞。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，两个所述第二元胞之间设置有一定数量的所述第一元胞；

每个所述第二元胞的周围环绕设置有多个所述第一元胞。

3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，每一所述条形结构之间间隔n层所述元胞设置，n在0-1000000之间。

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述等离子扩散层包括：由所述多条条形结构的等离子扩散通道组成的交叉网状结构区域；

所述交叉网状结构区域包括交叉设置的多条所述第二条形结构，且所述多条第二条形结构中的至少两个第二条形结构夹角成60度或者120度。

5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述等离子扩散层包括：由所述多条条形结构的等离子扩散通道组成的交叉网状结构区域；

所述交叉网状结构区域包括交叉设置的所述第一条形结构，或者包括交叉设置的所述第二条形结构。

6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述等离子扩散层包括：由所述多条条形结构的等离子扩散通道组成的交叉网状结构区域；

所述交叉网状结构区域包括多条所述第四条形结构，且所述多条第四条形结构中的至少两个第四条形结构夹角成60度或者120度。

7.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述等离子扩散层包括：由所述多条条形结构的等离子扩散通道组成的交叉网状结构区域；

所述交叉网状结构区域包括交叉设置的所述第三条形结构，或者包括交叉设置的所述第四条形结构。