[发明专利]感应开关在审
申请号: | 202010311467.3 | 申请日: | 2020-04-20 |
公开(公告)号: | CN113539739A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 周添铭 | 申请(专利权)人: | 大日科技股份有限公司 |
主分类号: | H01H35/02 | 分类号: | H01H35/02 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;谢琼慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 感应 开关 | ||
1.一种感应开关,其特征在于:包含:
陶瓷本体,由多个陶瓷生坯堆栈后烧结制成,所述陶瓷本体包括界定出腔室的中层部、设置于所述中层部底部且封闭所述腔室的底端的下层部,及设置于所述中层部顶部且封闭所述腔室的顶端的上层部,所述中层部具有相邻所述腔室的内表面,所述下层部具有相邻所述腔室的顶面;
第一导电单元,由金属材料设置于对应的陶瓷生坯制成,所述第一导电单元包括覆盖于所述中层部的内表面的第一导电层,及至少一个连接所述第一导电层并延伸至所述陶瓷本体外侧的第一内部线路;
第二导电单元,由金属材料设置于对应的陶瓷生坯制成,所述第二导电单元包括设置于所述下层部的第二导电层,及至少一个连接所述第二导电层并向外延伸至所述陶瓷本体外侧的第二内部线路,所述第二导电层具有凸出所述下层部的顶面的凸出部,所述凸出部与所述第一导电层相间隔;及
导电件,位于所述腔室,所述导电件能在第一通路位置及断路位置之间移动,当所述导电件在所述第一通路位置时,所述第一导电层、所述导电件及所述第二导电层形成电流通路,当所述导电件在所述断路位置时,所述第一导电层、所述导电件及所述第二导电层不形成电流通路,当所述陶瓷本体水平放置时,所述导电件受所述第二导电层的凸出部的限制而定位于所述第一通路位置。
2.根据权利要求1所述的感应开关,其特征在于:所述第二导电单元的凸出部呈圆柱状。
3.根据权利要求1所述的感应开关,其特征在于:所述第二导电单元的凸出部呈圆锥状。
4.根据权利要求1所述的感应开关,其特征在于:所述第二导电单元的凸出部呈弧状并朝远离所述下层部的方向拱起。
5.根据权利要求1所述的感应开关,其特征在于:所述陶瓷本体的下层部具有形成于所述顶面的盲孔,所述第二导电层设置于所述盲孔,所述盲孔具有开放端,及封闭端,所述第二导电单元的第二导电层延伸至所述盲孔的封闭端,所述第二内部线路于所述封闭端连接所述第二导电层并向外延伸。
6.根据权利要求5所述的感应开关,其特征在于:所述第一导电单元的第一内部线路延伸于所述陶瓷本体的中层部及所述下层部之间或所述中层部及所述上层部之间。
7.根据权利要求1所述的感应开关,其特征在于:所述导电件为球状或圆柱状,且半径为r,所述陶瓷本体的下层部、中层部及上层部沿一条轴线堆栈,所述导电件于所述腔室内垂直所述轴线的最大滚动距离为d,且3rd4r。
8.根据权利要求1所述的感应开关,其特征在于:所述陶瓷本体的上层部具有底面,所述感应开关还包含第三导电单元,所述第三导电单元由金属材料设置于对应的陶瓷生坯制成,并包括设置于所述上层部的第三导电层,及至少一个连接所述第三导电层并向外延伸至所述陶瓷本体外侧的第三内部线路,所述第三导电层具有凸出所述上层部的底面的凸出部,所述凸出部与所述第一导电层相间隔,且与所述第二导电层的凸出部的距离大于所述导电件的直径,所述导电件能在第二通路位置、所述第一通路位置及所述断路位置之间移动,当所述导电件在所述第二通路位置时,所述第一导电层、所述导电件及所述第三导电层形成电流通路,当所述导电件在所述断路位置时,所述第一导电层、所述导电件、所述第二导电层及所述第三导电层不形成电流通路,当所述陶瓷本体颠倒且水平放置时,所述导电件受所述第三导电层的凸出部的限制而定位于所述第二通路位置。
9.根据权利要求1所述的感应开关,其特征在于:所述第一导电单元单元及所述第二导电单元由金属材料由导电胶施以网板、钢板或喷墨方式加工,或是由电镀、化学镀、溅镀方式交替穿插使用设置于对应的陶瓷生坯后,共同堆栈、烧结制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日科技股份有限公司,未经大日科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010311467.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。