[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202010311490.2 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420835A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李健玮;宋学昌;李彦儒;林俊池;徐梓翔;杨丰诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：
形成一栅极堆叠于自一基板延伸的一鳍状物上；
形成一栅极间隔物于该栅极堆叠的侧壁上；
由一第一蚀刻工艺蚀刻该鳍状物，以形成与该栅极间隔物相邻的一第一凹陷，其中该第一蚀刻工艺为非等向；
由一第二蚀刻工艺蚀刻该鳍状物，以自该第一凹陷移除一蚀刻残留物，且该第二蚀刻工艺与该第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；
由一第三蚀刻工艺蚀刻该第一凹陷的表面，以形成一第二凹陷，该第二凹陷在垂直于该基板的主要表面的方向中延伸至该栅极间隔物之下，且该第二凹陷具有V形下表面，其中该第三蚀刻工艺沿着该基板的结晶平面为非等向，且该第三蚀刻工艺与该第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；以及
外延形成一源极/漏极区于该第二凹陷中。
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