[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于衬底上的栅极结构；

位于衬底上的介质结构，所述介质结构覆盖所述栅极结构；

位于介质结构内的第一导电插塞，所述第一导电插塞位于所述栅极结构一侧或两侧；

位于介质结构内的开口，所述开口暴露出所述栅极结构；

位于开口顶部的第一介质层，所述第一介质层将所述开口封闭成密闭腔。

2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述开口包括第一开口，所述第一开口位于所述第一导电插塞和所述栅极结构之间。

3.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于第一开口顶部的第一介质层，所述第一介质层将所述第一开口封闭成第一密闭腔。

4.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，所述第一开口的深宽比范围为：5～20。

5.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，所述开口还包括第二开口，所述第二开口位于所述第三介质层内，所述第二开口暴露出部分所述栅极结构顶部表面。

6.如权利要求5所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于第二开口内的第一介质层，所述第一介质层将第二开口封闭成第二密闭腔。

7.如权利要求5所述半导体结构，其特征在于，所述第二开口的深宽比范围为：10～30。

8.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述介质结构包括第二介质层和位于第二介质层上的第三介质层，所述第二介质层位于所述栅极结构侧壁表面，所述第三介质层位于所述栅极结构顶部表面。

9.如权利要求8所述半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅极层；所述栅极结构位于所述第二介质层内。

10.如权利要求9所述半导体结构，其特征在于，所述栅介质层材料的介电常数大于3.7，所述栅介质层的材料包括氧化铪或氧化铝；所述栅极层的材料包括金属，所述金属包括钨。

11.如权利要求9所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于衬底上的过渡层，所述栅介质层位于所述过渡层表面；位于栅介质层上的功函数层，所述栅极层位于所述功函数层表面。

12.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于介质结构内的第二导电插塞，所述第二导电插塞与所述栅极结构顶部电连接。

13.如权利要求12所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于介质结构顶部表面和第一介质层顶部表面的第四介质层；位于第四介质层内的第一金属层，所述第一金属层与所述第二导电插塞电连接。

14.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于栅极结构两侧衬底内的源漏掺杂区；所述第一导电插塞与所述源漏掺杂区电连接。

15.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述衬底包括基底和位于基底上的若干鳍部结构；所述栅极结构横跨所述若干鳍部结构。

16.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一种或多种的组合。