[发明专利]一种中小型磁偏转电子束蒸发源磁路结构构建方法有效
| 申请号： | 202010312149.9 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111611733B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 阿力甫·库提鲁克;李浩;梅新灵;谢斌平 | 申请（专利权）人： | 费勉仪器科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F30/17;C23C14/30 |
| 代理公司： | 上海国瓴律师事务所 31363 | 代理人： | 傅耀 |
| 地址： | 201900 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中小型 偏转 电子束 蒸发 磁路 结构 构建 方法 | ||
1.一种中小型磁偏转电子束蒸发源磁路结构构建方法，其特征在于：包括：S1：初始化导磁板长度L、导磁板收拢角度α、导磁板长度步长ΔL、导磁板收拢角度步长Δα；S2：判断L是否大于最大导磁板长度Lmax，若大于，进入S13；S3：判断α是否大于最大导磁板收拢角度αmax，若大于，进入S13；S4：将导磁板长度L、导磁板收拢角度α导入模拟器中；S5：所述模拟器输出电子束轨道；S6：判断所述电子束轨道是否满足结束条件；S7：令L=L+ΔL，判断L是否大于最大导磁板长度Lmax，若未大于，进入S8，否则进入S11；S8：将导磁板长度L、导磁板收拢角度α导入模拟器中；S9：所述模拟器输出电子束轨道；S10：判断所述电子束轨道是否满足结束条件，若未满足进入S7，若满足，进入S12；S11：令α=α+Δα，判断α是否大于最大导磁板收拢角度αmax，若未大于，进入S7，若大于，进入S13；S12：输出所述导磁板长度L和所述导磁板收拢角度α；S13：结束方法，其中，所述结束条件为：所述电子束轨道偏转270度且电子束斑的直径小于3mm。
2.根据权利要求1所述的一种中小型磁偏转电子束蒸发源磁路结构构建方法，其特征在于：在输出的所述导磁板（2）的长度为L的情况下，所述导磁板（2）与电子发射器（1）的阳极板外侧的距离为-1.8至+3.6mm。
3.根据权利要求1所述的一种中小型磁偏转电子束蒸发源磁路结构构建方法，其特征在于：输出的所述导磁板收拢角度α在-6度至+6度之间。
4.根据权利要求1所述的一种中小型磁偏转电子束蒸发源磁路结构构建方法，其特征在于：所述模拟器的模拟方法基于Laplace方程与有限元法。
5.根据权利要求4所述的一种中小型磁偏转电子束蒸发源磁路结构构建方法，其特征在于：所述模拟器基于SimionProgram。
6.一种中小型磁偏转电子束蒸发源，使用权利要求1-5任一所述的一种中小型磁偏转电子束蒸发源磁路结构构建方法构建，其特征在于：包括坩埚（3）、电子发射器（1）、磁铁（4）和导磁板（2）；所述磁铁（4）设置于所述坩埚（3）的底部，所述坩埚（3）两侧设置有导磁板（2）； 所述电子发射器（1）设置在所述导磁板（2）组成的空间内。
7.根据权利要求6所述的一种中小型磁偏转电子束蒸发源，其特征在于：所述一种中小型磁偏转电子束蒸发源使用包括ISODN40法兰、ISODN63法兰、CF35或CF63法兰的一种安装。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于费勉仪器科技（上海）有限公司，未经费勉仪器科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010312149.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
