[发明专利]一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源

权利要求书

1.一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，包括蒸发区和电子发射区，所述蒸发区包括坩埚(2)，所述电子发射区包括直通腔体(5)、电子枪(11)和主磁场(9)，所述电子发射区和所述蒸发区之间通过直通腔体上端法兰与蒸发区下端法兰连接，其特征在于：

所述蒸发区下端法兰与所述直通腔体上端法兰之间设置有隔离板(12)；

所述坩埚(2)设置在所述隔离板(12)上；

所述隔离板(12)上设置有聚焦通孔(1)；所述聚焦通孔(1)包括磁铁基座(13)与多块磁铁(14)，所述磁铁的数量为偶数；所述磁铁基座(13)上设置有贯通的凹槽；所述磁铁(14)在所述凹槽内均匀分布；多块所述磁铁(14)沿所述电子枪(11)发射的电子束轨道方向磁化，对立方位的多块所述磁铁(14)的磁化方向一致，相邻近磁铁的磁化方向相反；

所述电子枪(11)、所述主磁场(9)、所述坩埚(2)和所述聚焦通孔(1)之间的位置满足：所述电子枪(11)发射的电子束经所述主磁场(9)偏转后从所述凹槽的一端进入，从所述凹槽的另一端射出并打在所述坩埚(2)内。

2.根据权利要求1所述的一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，其特征在于：还包括水冷系统(6)；所述水冷系统(6)包括同轴水冷管和水冷基座，所述同轴水冷管连接所述水冷基座；所述电子枪(11)设置在所述水冷基座上。

3.根据权利要求2所述的一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，其特征在于：所述水冷基座连接所述隔离板(12)。

4.根据权利要求3所述的一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，其特征在于：所述直通腔体(5)的下端设置有特殊基座法兰(15)和直通腔体下端法兰(16)；所述直通腔体下端法兰(16)的刀口朝向所述直通腔体(5)内部；所述特殊基座法兰(15)和所述直通腔体下端法兰(16)之间设置有金属垫片。

5.根据权利要求4所述的一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，其特征在于：所述同轴水冷管的内管为直管；所述同轴水冷管在与所述直通腔体上端法兰的连接处的外管为波纹管(8)。

6.根据权利要求1所述的一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，其特征在于：所述直通腔体(5)上设置有第二差抽口；所述第二差抽口上设置有第一差抽口(3)；所述第一差抽口(3)连接包括离子泵中的一种；所述第二差抽口连接包括分子泵和超真空蒸发源腔体中的一种。

7.根据权利要求1所述的一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，其特征在于：所述聚焦通孔(1)所在的隔离板(12)与所述坩埚(2)的端面夹角为120°。

8.根据权利要求1所述的一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，其特征在于：所述磁铁(14)的形状选自包括长条形中的一种。

9.根据权利要求1或者权利要求4或者权利要求5所述的一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，其特征在于：所述直通腔体上端法兰、所述蒸发区下端法兰、所述直通腔体下端法兰(16)为CF63刀口法兰。

10.根据权利要求1所述的一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，其特征在于：还包括电馈通(7)；所述电子枪(11)连接所述电馈通(7)，所述电馈通(7)连接外部电源。