[发明专利]半导体腔室及其进气结构

权利要求书

1.一种半导体腔室的进气结构，其特征在于，包括设置在所述半导体腔室的腔室壁中的通孔和设置在所述通孔中的柱塞件，所述柱塞件的外周壁与所述通孔的孔壁之间形成缓冲腔和环形孔隙，其中，所述缓冲腔与所述半导体腔室的进气管路连接；所述环形孔隙的两端分别与所述缓冲腔和所述半导体腔室的内部相连通。

2.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述通孔包括自所述半导体腔室的内部向外部的方向依次设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段的直径小于所述第二孔段的直径，在所述第一孔段的孔壁与所述柱塞件的外周壁之间形成所述环形孔隙，在所述第二孔段的孔壁与所述柱塞件的外周壁之间形成所述缓冲腔。

3.根据权利要求2所述的进气结构，其特征在于，所述通孔还包括连接在所述第一孔段和第二孔段之间的过渡孔段，所述过渡孔段的直径自所述半导体腔室的内部向外部的方向逐渐增大。

4.根据权利要求2所述的进气结构，其特征在于，所述通孔还包括第三孔段，所述第三孔段从所述第二孔段靠近所述半导体腔室外部的一端向所述半导体腔室外部延伸；

所述柱塞件包括柱体和设置在所述柱体的一端的定位部，所述定位部的直径大于所述柱体的直径，所述定位部的外周壁与所述通孔的孔壁之间具有间隙，且所述定位部的外周壁的型面与所述第三孔段的孔壁的型面相互配合，以对所述柱塞件的环向位置进行定位。

5.根据权利要求4所述的进气结构，其特征在于，所述第三孔段的直径大于等于所述第二孔段的直径，所述定位部的外周壁与所述第三孔段的孔壁之间的径向间距小于所述环形孔隙的径向间距。

6.根据权利要求5所述的进气结构，其特征在于，所述第三孔段的孔壁包括在环向首尾相接的至少一个第一曲面和一个第一平面，所述定位部的外周壁包括在环向首尾相接的至少一个第二曲面和一个第二平面，所述第一曲面和所述第二曲面匹配设置，所述第一平面和所述第二平面匹配设置。

7.根据权利要求1-6任一项所述的进气结构，其特征在于，所述通孔包括多个，每个所述通孔内设置有所述柱塞件，多个所述通孔环绕所述半导体腔室的中心轴均匀分布，且每相邻两个所述通孔之间通过进气槽连通，所述进气槽与所述进气管路连接，并将所述进气管路中的气体同时输送至与所述进气槽连接的两个所述通孔中。

8.根据权利要求1-6任一项所述的进气结构，其特征在于，所述环形孔隙的径向间距小于或等于0.8mm。

9.一种半导体腔室，其特征在于，所述半导体腔室包括如权利要求1-8任一项所述的进气结构。