[发明专利]一种高性能DFB激光器结构及其生长方法

权利要求书

1.一种高性能DFB激光器结构，包括InP基底，在所述InP基底上从下而上依次采用MOCVD沉积的N-InP缓冲层、N-AlInAs外延层、N-AlGaInAs波导层、AlGaInAs MQW、P-AlGaInAs波导层、P-AlInAs 限制层、P-InP限制层、腐蚀阻挡层、InP联接层、光栅层、InGaAsP势垒过度层、InGaAs欧姆接触层；其特征在于：在所述N-InP缓冲层与所述N-AlInAs外延层中间插入一层N-InAlAsP。

2.根据权利要求1所述的一种高性能DFB激光器结构，其特征在于：所述N-InAlAsP材料采用(Al0.48In0.52As)X(InP)(1-X)表示，其中X表示AlInAsP材料中Al0.48In0.52As材料的比例，其值界于0.5-0.99之间。

3.根据权利要求2所述的一种高性能DFB激光器结构，其特征在于：所述Al0.48In0.52As材料与InP晶格匹配。

4.根据权利要求1所述的一种高性能DFB激光器结构，其特征在于：所述N-InAlAsP材料采用MOCVD生长。

5. 根据权利要求1所述的一种高性能DFB激光器结构，其特征在于：所述InP基底电导率为2-8x10¹⁸cm^-2 。

6.一种高性能DFB激光器制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：

步骤一：以电导率为2-8x10¹⁸cm^-2的InP作为生长衬底，放入到MOCVD 系统中生长，反应室压力为50mbar，生长温度为670℃，以氢气为载气，三甲基铟、三甲基镓、三甲基铝、二乙基锌、硅烷、砷烷和磷烷等为反应源气体，首先生长N-InP缓冲层，三甲基铟的流量为300sccm，磷烷的流量为1800sccm；

步骤二：当所述N-InP缓冲层生长完成后，关闭三甲基铟和硅烷，通入砷烷，砷烷流量为600 sccm，同时，把磷烷的流量降低；3分钟后，通入三甲基铟和硅烷，开始生长N-AlInAsP外延层；

步骤三：在步骤二的基础上，三甲基铟的Source流量为100sccm，200秒后，关闭磷烷，

并持续增加三甲基铝、三甲基铟以及硅烷的流量，开始生长N-AlInAs外延层；然后依次生长N-AlGaInAs波导层，AlGaInAs MQW，P-AlGaInAs波导层，P-AlInAs 限制层，P-InP限制层，并制作光栅；

步骤四：最后，采用脉冲式沉积法生长InP联接层，InGaAsP势垒过度层，InGaAs欧姆接触层。

7.根据权利要求6所示的一种高性能DFB激光器制备方法，其特征在于：在步骤二中所述的把磷烷的流量降低，具体为将磷烷的流量至300sccm。

8.根据权利要求6所示的一种高性能DFB激光器制备方法，其特征在于：在步骤三中所述的持续增加三甲基铝、三甲基铟以及硅烷的Source流量，其增加流量的方式具体为线性增加。