[发明专利]生长单层磷化硅晶体的方法有效
| 申请号： | 202010312686.3 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111575787B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 邱海龙;武羽;胡章贵 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/10;C30B29/64 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 单层 磷化 晶体 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长单层磷化硅晶体的方法在制备单层磷化硅二维晶体中的应用，其特征在于，方法包括以下步骤：
1）准备石英管，所述石英管的两端分别为原料端和基底端，在所述石英管的基底端内放置一基底，在所述石英管的原料端内放置原材料和输运剂，对所述石英管进行抽真空，抽真空后密封所述石英管，以使该石英管的管内压强为4×10-6~4×10-4Pa，其中，所述原材料为单质硅和红磷的混合物，输运剂为单质碘，按质量份数计，所述单质硅和红磷的比为1:1，按质量份数计，所述原材料和输运剂的比为1：1；
2）对所述石英管的原料端和基底端同时加热5~36 h，加热后随炉冷却至室温20~25℃，在基底上得到单层磷化硅晶体，其中，所述原料端的加热温度为1000~1150℃，所述基底端的加热温度为600~950℃。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，在所述步骤1）中，所述基底为蓝宝石。
3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，在所述步骤1）中，所述石英管的长度为15~50 cm，内径为10~20mm。
4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述原材料的质量为2~6mg。
5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，在所述步骤2）中，所述原料端和基底端之间温度的梯度为1.6~14℃/cm。
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