[发明专利]一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置有效
申请号: | 202010313022.9 | 申请日: | 2020-04-20 |
公开(公告)号: | CN111463356B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 莫丹;赵欢;朱平;张义波;陈营营;贾松霖 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,具有显示区和非显示区,所述非显示区包括透光区;
所述显示面板包括:
阵列基板,所述阵列基板上设置有像素界定层,所述像素界定层包括多个开口;
有机层,位于所述开口内的所述阵列基板上;
保护层,位于所述透光区的所述有机层远离所述阵列基板的一侧,用于防止水汽和氧气伤害所述有机层,所述保护层具有透光性;
阴极层,位于除所述透光区之外的区域内的所述有机层远离所述阵列基板的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保护层为致密膜层,所述致密膜层包括氟化锂、氧化铝或氧化硅中至少一种;所述保护层的厚度为0.8-1.2微米。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述保护层的厚度为1微米。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括封装层,位于所述显示区的所述阴极层远离所述阵列基板的一侧和所述透光区的所述保护层远离所述阵列基板的一侧。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,位于所述显示区的封装层包括依次堆叠的第一无机薄膜层、有机薄膜层和第二无机薄膜层;位于所述透光区的所述封装层包括所述有机薄膜层和所述第二无机薄膜层。
6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供阵列基板,所述阵列基板上形成有像素界定层,所述像素界定层包括多个开口;
在位于所述开口内的所述阵列基板上形成有机层;
在位于透光区的所述有机层上形成保护层;
在位于所述透光区的所述像素界定层上形成感光层,所述感光层填覆所述开口;
在所述像素界定层上形成阴极层,所述阴极层覆盖所述透光区的所述感光层;
去除所述透光区的所述感光层以去除所述感光层上的所述阴极层。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述感光层的材料包括感光树脂。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述感光树脂的材料包括重铬酸光敏抗蚀剂和/或聚乙烯醇肉桂酸脂光敏抗蚀剂。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在位于所述透光区的所述像素界定层上形成感光层包括:
在位于所述透光区的所述像素界定层上涂覆所述感光树脂,形成所述感光层。
10.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,形成所述感光层之后,所述感光层的最高点高于显示区的所述像素界定层的最高点。
11.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述去除所述透光区的所述感光层以去除所述感光层上的所述阴极层包括:
通过对所述感光层的侧面进行光照,刻蚀去除高出位于所述透光区的所述像素界定层的所述感光层和位于所述感光层上的阴极层。
12.根据权利要求11所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述通过对所述感光层的侧面进行光照,刻蚀去除高出位于所述透光区的所述像素界定层的所述感光层和位于所述感光层上的阴极层之后还包括:
通过对位于所述透光区的剩余的所述感光层的正面进行光照,刻蚀去除剩余的所述感光层。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的显示面板或由权利要求6-12任一项所述的显示面板的制备方法制得的显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010313022.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择