[发明专利]一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法

权利要求书

1.一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法，其特征在于，包括：

在N型外延片生长氧化层、淀积氮化硅层和TEOS层，挖出若干个Trench结构；

在Trench结构中制作一层氧化层，并填充掺杂N型多晶硅；

对Trench结构中多晶硅进行刻蚀，再将有源区Trench结构侧壁的上部分氧化层去除掉；

在Trench结构中填充介质，研磨外延片至表面平坦，使氮化硅层和氧化硅处于同一平面；

形成保护二极管结构并实现P型掺杂；分离栅底部结构和保护二极管结构；

完成栅极引出，阱工艺和源区引出；

通过光刻和腐蚀实现通孔引出和金属互联；

形成保护二极管结构并实现P型掺杂包括：把用于保护二极管的多晶硅淀积在外延片上，并且通过离子注入的方式，实现P型掺杂；

保留栅区用来做保护二极管结构的多晶硅，通过多晶腐蚀来刻蚀掉其他区域的多晶硅；

分离栅底部结构和保护二极管结构包括：

利用光刻和腐蚀，把有源区Trench结构中的氧化层腐蚀到需要保留的厚度。

2.如权利要求1所述的带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法，其特征在于，所述N型外延片生长的氧化层厚度大淀积的氮化硅层厚度为TEOS层厚度为

3.如权利要求1所述的带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法，其特征在于，对Trench结构中多晶硅进行刻蚀包括：

通过刻蚀使所有Trench结构中多晶硅的高度低于外延片表面；

把外围隔离Trench结构，以及底部多晶需要引出的Trench结构覆盖光刻胶，对其余Trench结构中的多晶硅进行刻蚀。

4.如权利要求1所述的带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法，其特征在于，完成栅极引出，阱工艺和源区引出；通过光刻和腐蚀实现通孔引出和金属互联包括：

生长栅氧化层和淀积N型多晶栅，并通过多晶栅回刻工艺完成栅级引出；

通过注入P型杂质和退火工艺，完成阱工艺；

利用源区光刻和注入，实现源区引出；

利用光刻和腐蚀实现通孔引出和金属互联。

5.如权利要求1所述的带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法，其特征在于，所述Trench结构的深度为2～4μm。