[发明专利]图像显示元件有效
申请号: | 202010313319.5 | 申请日: | 2020-04-20 |
公开(公告)号: | CN111863854B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 井口胜次 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/46;H01L33/50;G09G3/32 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家欢 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 显示 元件 | ||
1.一种图像显示元件,其特征在于,具备:
驱动电路基板,其包含对微型发光元件供给电流并使所述微型发光元件发光的驱动电路,所述微型发光元件是在所述驱动电路基板上以阵列方式排列的多个微型发光元件之一;以及
波长转换部,其配置在所述微型发光元件上,并将所述微型发光元件发出的激发光转换为波长更长的长波长光并向与所述驱动电路基板相反侧发出,
所述微型发光元件具备:从发光面侧依次层叠第一导电层、发光层以及与所述第一导电层相反导电型的第二导电层而成的半导体,
所述半导体的侧面以相对于光发出方向张开的方式倾斜并且由反射材料覆盖,
所述波长转换部由隔壁包围侧方,
所述隔壁的面向所述波长转换部的侧面成为以相对于光发出方向张开的方式倾斜的反射面,
在所述第一导电层的上方配置有共用电极,
所述隔壁与所述共用电极直接接触。
2.根据权利要求1所述的图像显示元件,其特征在于,
由所述反射面围起而成的底部开口部在比所述反射材料的发光面侧的上端部相对于所述微型发光元件靠内侧的位置配置。
3.根据权利要求1所述的图像显示元件,其特征在于,
在所述半导体的侧面与所述反射材料之间配置有透明绝缘膜。
4.根据权利要求3所述的图像显示元件,其特征在于,
由所述反射面围起而成的底部开口部覆盖所述半导体的发光面。
5.根据权利要求1所述的图像显示元件,其特征在于,
所述隔壁的侧面的倾斜角度处于相对于所述发光层的上表面为85°~45°的范围。
6.根据权利要求1所述的图像显示元件,其特征在于,
以阵列状排列的多个所述微型发光元件包括子像素的微型发光元件,每个所述子像素的微型发光元件包括透明部以取代所述波长转换部,
所述透明部由隔壁包围侧方,
所述隔壁的面向所述透明部的侧面成为以相对于光发出方向张开的方式倾斜的反射面。
7.根据权利要求3所述的图像显示元件,其特征在于,
所述透明绝缘膜的膜厚为75nm以上。
8.根据权利要求3所述的图像显示元件,其特征在于,
所述透明绝缘膜的膜厚为400nm以上。
9.根据权利要求1所述的图像显示元件,其特征在于,
所述半导体的侧面中的所述发光层的周围的侧面的倾斜角度相对于所述发光层的上表面为60°以下。
10.根据权利要求1所述的图像显示元件,其特征在于,
所述半导体的侧面中的所述发光层的周围的侧面的倾斜角度相对于所述发光层的上表面为50°以下。
11.根据权利要求1所述的图像显示元件,其特征在于,
所述半导体的侧面中的所述第一导电层的周围的侧面的倾斜角度相对于所述发光层的上表面而不足90°。
12.根据权利要求1所述的图像显示元件,其特征在于,
所述反射材料与所述第一导电层导通。
13.根据权利要求1所述的图像显示元件,其特征在于,
所述反射材料与所述第二导电层导通。
14.根据权利要求1所述的图像显示元件,其特征在于,
所述反射面相对于所述发光层的上表面的倾斜角度为所述第一导电层的侧面相对于所述发光层的上表面的倾斜角度以下。
15.根据权利要求1所述的图像显示元件,其特征在于,
所述反射面由反射材料形成,
包围所述半导体的侧面的反射材料与所述隔壁的反射面直接接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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