[发明专利]体声波谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种体声波(BAW)谐振器，包括：

压电膜阵列，包括在芯片的衬底与上方盖帽层之间的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间、压电膜与盖帽层之间以及压电膜与衬底之间具有多个第一空腔，水平的第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平的第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；

多个电极层，至少覆盖每个压电膜的顶面和底面；

多个电极互连层，沿第三空腔侧面连接压电膜底面的电极层；

离子注入形成的接触区，位于盖帽层中，电连接顶部压电膜的顶部电极层；

每个第一空腔与共用的第三空腔之间具有电极层、第一隔离层和电极互连层；电极层和第二隔离层包围每个第一空腔，层间介质层深入第二、第三空腔的深度小于等于盖帽层厚度的1/3。

2.根据权利要求1的BAW谐振器，其中，接触区之上进一步具有层间介质层以及层间介质层中的布线层。

3.根据权利要求2的BAW谐振器，其中，层间介质层之上具有金属间介质层以及至少一层再布线层。

4.根据权利要求3的BAW谐振器，其中，金属间介质层和再布线层之上具有焊垫和钝化层。

5.根据权利要求1的BAW谐振器，其中，接触区上具有欧姆接触层。

6.根据权利要求1的BAW谐振器，其中，衬底和/或盖帽层材料选自体Si、绝缘体上硅(SOI)、体Ge、GeOI、GaN、GaAs、SiC、InP、GaP。

7.根据权利要求6的BAW谐振器，其中，衬底与盖帽层材料相同。

8.根据权利要求1的BAW谐振器，其中，电极层和/或电极互连层的材料为选自Mo、W、Ru、Al、Cu、Ti、Ta、In、Zn、Zr、Fe、Mg的金属单质、这些金属的合金、这些金属的导电氧化物或导电氮化物、以及其任意组合。

9.根据权利要求4的BAW谐振器，其中，焊垫的材料为选自Mo、W、Ru、Al、Cu、Ti、Ta、In、Zn、Zr、Fe、Mg的金属单质、这些金属的合金、这些金属的导电氧化物或导电氮化物、以及其任意组合。

10.根据权利要求1的BAW谐振器，其中，压电膜的材料为ZnO、AIN、BST、BT、PZT、PBLN、PT。

11.根据权利要求1的BAW谐振器，其中，第一隔离层或第二隔离层的材料为SiOx、SiOC、SiOC、SiOF、SiFC、BSG、PSG、PBSG或其任意组合。

12.根据权利要求11的BAW谐振器，其中，第一隔离层和第二隔离层材料相同。

13.根据权利要求5的BAW谐振器，其中，欧姆接触层为金属硅化物或金属锗化物。

14.根据权利要求3的BAW谐振器，其中，层间介质层和/或金属间介质层为低k材料。

15.根据权利要求4的BAW谐振器，其中，任选地，钝化层的材料为氧化硅、氮化硅材质或有机树脂。