[发明专利]微墙阵列及其制备方法与应用、微通道及其制备方法、微通道反应器及其应用

权利要求书

1.一种微通道，所述微通道包括基底材料和微墙阵列；所述微墙阵列内壁附着有纳米催化剂；

所述微墙阵列由至少两个微墙构成；所述微墙的横截面呈山峰的形状；

所述山峰的峰高c为20-30μm；所述山峰的半峰宽d为2-15μm；

各个微墙之间的中心间距b小于等于100μm；相邻所述微墙横截面的山峰的峰底之间的间距a满足以下条件：

a = b-30；

其中，所述微墙阵列的制备方法包括以下步骤：

（1）将模板进行抛光，采用划片法在模板上制备至少两个沟槽结构；

（2）将步骤（1）得到的产品进行亲水性表面处理后，置于疏水改性剂中进行疏水处理，得到改性模板；

（3）将反应单体和引发剂配置成混合液；

（4）将步骤（3）得到的混合液浇注于步骤（2）得到的改性模板的表面，进行聚合反应后，将得到的聚合物与改性模板分离，即得所述的微墙阵列；

所述微通道的制备方法包括以下步骤：

（a）将纳米催化剂、表面活性剂和溶剂混合，得到纳米催化剂分散液；

（b）将基底材料进行疏水处理，得到疏水基底材料；

（c）将所述纳米催化剂分散体液滴于所述疏水基底材料后，将微墙阵列覆盖所述催化剂分散液，经干燥后得到所述微通道。

2.根据权利要求1所述的微通道，其中，各个微墙之间的中心间距b为40-100μm。

3.根据权利要求2所述的微通道，其中，各个微墙之间的中心间距b为40-60μm。

4.根据权利要求1或2所述的微通道，其中，所述山峰的峰高c为20-25μm。

5.根据权利要求1或2所述的微通道，其中，所述山峰的半峰宽d为2.5-10μm。

6.根据权利要求1或2所述的微通道，其中，相邻所述微墙横截面的峰底之间的间距a0。

7.根据权利要求1所述的微通道，其中，所述微墙由聚二甲基硅氧烷、共聚酯、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚氯乙烯、醋酸纤维素、乙基纤维素、乙烯醇-乙烯基乙酸酯、乙烯-丙烯聚合物和海藻酸钠中的至少一种制得。

8.根据权利要求1所述的微通道，其中，所述模板选自硅片、玻璃片和铝片中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的微通道，其中，所述沟槽结构的深为5-30μm。

10.根据权利要求9所述的微通道，其中，所述沟槽结构的深为23-27μm。

11.根据权利要求1所述的微通道，其中，所述沟槽结构的宽为20-30μm。

12.根据权利要求11所述的微通道，其中，所述沟槽结构的宽为23-27μm。

13.根据权利要求1或7所述的微通道，其中，相邻沟槽结构的间距小于等于100μm。

14.根据权利要求13所述的微通道，其中，相邻沟槽结构的间距为20-100μm。

15.根据权利要求14所述的微通道，其中，各个沟槽结构的间距为40μm、60μm、80μm或者100μm。

16.根据权利要求1所述的微通道，其中，所述亲水性表面处理选自等离子体表面处理、酸处理和亲水性树脂处理中的至少一种。

17.根据权利要求8-12中任意一项所述的微通道，其中，所述亲水性表面处理选自等离子体表面处理、酸处理和亲水性树脂处理中的至少一种。