[发明专利]一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法在审

专利信息
申请号: 202010314221.1 申请日: 2020-04-20
公开(公告)号: CN111602594A 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 张利;敖青霞;姜媛媛;赵茂俊;倪苏;王龙;胡佳;冯均;周劲;余燕;王海平;吴金勇;陈欢 申请(专利权)人: 四川农业大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 成都东恒知盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51304 代理人: 何健雄;廖祥文
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 降低 芍药 组织培养 中外 污染 方法
【权利要求书】:

1.一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)采集芍药幼嫩部位进行低温处理;

(2)低温处理后的芍药外植体使用洗洁精浸泡后流水冲洗;

(3)冲洗完毕后的芍药外植体,浸泡在多菌灵和青霉素钠混合溶液中并置于摇床;

(4)浸泡后的芍药外植体由75%酒精消毒,再以0.1%升汞消毒进行表面消毒;

(5)消毒后的芍药外植体在含有益培灵的培养基中培养。

2.根据权利要求1所诉的一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法,其特征在于,所述步骤1低温处理为将新采集的芍药外植体用锡箔纸包裹置于4℃冰箱中,低温处理24-48h。

3.根据权利要求1所诉的一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法,其特征在于,所述步骤2芍药外植体由稀释洗洁精浸泡20min,清洗外表的泥沙后流水冲洗芍药外植体1h。

4.根据权利要求1所诉的一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法,其特征在于,所述步骤3将芍药外植体浸泡在浓度为3-5g/L的多菌灵和浓度为0.5-1.5g/L青霉素钠混合溶液的培养瓶中,置于摇床,振荡速度为160 1/min,振荡时间为1h,然后用无菌蒸馏水清洗三次,将培养瓶表面喷洒75%酒精后放入超净工作台中大风吹20min。

5.根据权利要求1所诉的一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法,其特征在于,所述步骤4在超净工作台上,用75%酒精消毒10s,无菌蒸馏水清洗3次,0.1%升汞消毒7-8min,无菌蒸馏水清洗8-10次。

6.根据权利要求1所诉的一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法,其特征在于,所述步骤5将芍药外植体切为适宜大小,接入到含有益培灵的培养基中,22-25℃下黑暗培养一周。

7.根据权利要求6所诉的一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法,其特征在于,所述培养基为:MS+蔗糖30g/L+TDZ 2.5mg/L+琼脂粉7.5g/L+益培灵0.1-0.2g/L,培养基pH值调至5.8-6.0,将配制好的培养基装入培养瓶中,121℃高温灭菌25min。

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