[发明专利]一种S波段百千瓦级稳态高功率隔离器有效

专利信息
申请号: 202010314255.0 申请日: 2020-04-21
公开(公告)号: CN111490325B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 赵连敏;刘甫坤;张立元;程敏 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: H01P1/36 分类号: H01P1/36
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 杨学明
地址: 230031 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 波段 千瓦 稳态 功率 隔离器
【权利要求书】:

1.一种S波段百千瓦级稳态高功率隔离器,其特征在于,包括:

上组件、下组件,其中,上组件、下组件分别包括半电桥、半功分器、半移相段、半魔T、半法兰,上组件和下组件中间通过螺栓相连;组件间通过装配在纵向密封槽里面的密封圈橡胶密封;上下组件波导外壁上分别设置有主动水冷结构;上组件、下组件内部分别设置有上、下半移相段,磁场发射器分别位于上、下半移相段的外侧,所述隔离器各个端面处焊接有法兰;

磁场发射器发射的磁场用于磁化隔离器上、下组件内部腔体中铁氧体片,并通过调节磁场大小,实现调节波正向传输与反向传输的相位差;

整个上组件用一整块铜板,采用数控一次加工方式完成,上功分器用斜变换替代台阶变换,避免电磁场在台阶转角处叠加,每个腔体中分别采用焊接方式加载2条铁氧体,上组件中共有四条铁氧体片,微波能量均匀对称分布在铁氧体片上;上组件纵向端面是平面结构,且沿纵向均匀分布的第一螺孔和第二螺孔,用于上、下组件和外部磁场的装配;上组件外壁设计有冷却水槽;通过一体化焊接,将上半功分器、上半魔T垂直段波导、上半水冷盖板、上半法兰焊接在组件上。

2.根据权利要求1所述的一种S波段百千瓦级稳态高功率隔离器,其特征在于:

上组件包括上半电桥、上半功分器、上半移相段、上半魔、上半法兰,沿上组件的轴设置有筋板,将上组件内部分为两个腔体;主体波导采用BJ26波导,端口采用台阶变换的方式过渡到BJ22波导,以便于和聚变装置的微波系统装配。

3.根据权利要求2所述的一种S波段百千瓦级稳态高功率隔离器,其特征在于:

所述下组件包括下半电桥、下半功分器、下半移相段、下半魔T、下半法兰、下半魔T段是平面结构,无垂直波导开口;下组件的纵向端面设置有密封槽。

4.根据权利要求2所述的一种S波段百千瓦级稳态高功率隔离器,其特征在于:

主动水冷却结构中,上、下组件的波导外壁都设计了冷却水槽,上、下组件共有8条独立水槽;铁氧体到水冷槽的垂直间距不大于2.5mm,上、下组件中的四个水槽在两端口通过一个汇流器汇聚成一路,再通过上下跨接连接器将上下水冷并联起来。

5.根据权利要求2所述的一种S波段百千瓦级稳态高功率隔离器,其特征在于:

磁场发射器包括下磁场发射器、上磁场发射器,分别位于隔离器的上、下组件外侧,每个发射器包括磁钢、A3盖板,A3盖板是铁磁材料,用以固定磁钢;A3盖板上开深度为1mm的限位槽,限制相邻两条磁钢因为引力或者斥力引起的位置改变,同时在A3盖板加工有螺栓孔,用以固定装配上、下A3铁磁盖板。

6.根据权利要求5所述的一种S波段百千瓦级稳态高功率隔离器,其特征在于:

上磁场发射器的磁场按:N极/S极/S极/N极顺序排列,下磁场发射器中与之对应的磁场按:S极/N极/N极/S极顺序排列,磁钢位于铁氧体片的正上方的水槽垂直上方,因此对应的铁氧体片的正上方形成一个完整的磁化磁场,磁化腔体中的铁氧体片。

7.根据权利要求5所述的一种S波段百千瓦级稳态高功率隔离器,其特征在于:

隔离器设置有纵向和横向两种密封,采用交叉密封方式的密封结构,上、下两个组件通过螺栓装配时压紧至紧密贴合,横向密封槽用来密封两个端面的法兰,纵向密封槽用来密封上、下组件;横向和纵向密封圈通过胶结方式连接在一起。

8.根据权利要求5所述的一种S波段百千瓦级稳态高功率隔离器,其特征在于:

每个半法兰上加工有两个螺孔、两个销孔和密封槽,密封槽包括平面槽和切面槽两部分。

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