[发明专利]一种日光温室辣椒栽培的贴接育苗方法

权利要求书

1.一种日光温室辣椒栽培的贴接育苗方法，其特征在于，步骤如下：

1)播种前2d～3d晾晒砧木种子和接穗种子，以包衣剂包覆干种后，将砧木种子播种在砧木苗盘中，将接穗种子播种在接穗苗盘中，播种深度0.5～0.8cm，播种后覆盖基质，播种后进行环境管理；

2)砧木4叶～6叶期，接穗4叶～5叶期后进行嫁接，嫁接采用贴接法，嫁接前一天下午，用葡萄糖150g+22.5％杜邦阿砣10ml兑水15kg，喷洒砧木和接穗，选择砧木和接穗幼茎粗度一致的位置，以30°角斜切，砧木由下向上切，接穗由上向下切，切面长0.4cm～0.6cm，贴接接穗和砧木的切面，用嫁接夹或套管固定；

3)定植前对日光温室杀菌消毒、整地施肥、制作内置式秸秆反应堆、做畦，当嫁接苗具有7～8片展开叶、株高20cm时，带蕾定植，在垄高2/3处错株挖坑，按株距50cm定植幼苗，覆土深度高于苗坨1cm，定植密度为2000株/亩，定植时，每m²施用10亿/克枯草芽孢杆菌2g、黄腐酸钾1g，兑水或混土穴施，定植后进行定植管理。

2.根据权利要求1所述的日光温室辣椒栽培的贴接育苗方法，其特征在于，步骤1)中所述砧木苗盘为72孔穴盘，所述接穗苗盘为平盘；

所述基质为全价营养基质,N+P₂O₅+K₂O含量≥1％，有机质含量≥40％，有效活菌数为2000万/g。

3.根据权利要求1所述的日光温室辣椒栽培的贴接育苗方法，其特征在于，步骤1)中所述环境管理包括温度管理、水分管理、植株管理；

所述温度管理为出苗前日间温度为25℃～32℃，夜间温度为20℃～22℃，出苗后至两叶一心时期日间温度为25℃～28℃，夜间温度为18℃～20℃，嫁接前日间温度为25℃～28℃，夜间温度为16℃～20℃；

所述水分管理为播种后基质含水量保持100％，子叶展平至两叶一心时期基质含水量保持70％～75％；嫁接前基质含水量保持65％～70％；

植株管理为植株两叶期后，对发生徒长的植株叶面喷施矮壮素或矮丰王700倍液1～2次。

4.根据权利要求1所述的日光温室辣椒栽培的贴接育苗方法，其特征在于，所述步骤2)还包括嫁接后管理的操作，所述操作为嫁接后及时用薄膜覆盖幼苗，维持基质含水量为90～95％，空气湿度为95％～100％，嫁接后前3d日间温度为30℃～32℃，夜间温度为18℃～20℃，嫁接后4d～7d，日间温度为28℃～30℃，夜间温度为18℃～20℃，嫁接伤口愈合后掀开薄膜，日间温度为27℃～28℃，夜间温度为15℃～18℃。

5.根据权利要求1所述的日光温室辣椒栽培的贴接育苗方法，其特征在于，步骤3)中所述杀菌消毒的操作为采用高温闷棚消毒和/或药剂消毒；

所述高温闷棚消毒的方法为7月中旬，将日光温室前茬作物清理干净，每亩加入石灰氮80kg，加入粉碎秸秆1000kg，与土壤同时深翻30cm～35cm后大水灌溉，用薄膜密封地面，棚内温度达到60℃～70℃，土壤温度达到40℃左右，维持20d～25d；

所述药剂消毒的方法为定植前15d，每亩用硫磺1kg、锯末3.5kg、80％DDV0.5kg，混合后分7～8堆点燃，密闭熏棚24h～48h。

6.根据权利要求1所述的日光温室辣椒栽培的贴接育苗方法，其特征在于，步骤3)中所述整地施肥的操作为每亩施充分发酵腐熟羊粪3000kg，添加N：P：K＝1:1：1的氮磷钾复合肥40kg～60kg、硫酸钾镁20kg、硫酸锌1kg、硝酸钙20kg，均匀撒施后旋耕2遍。