[发明专利]光器件层的移设方法在审
申请号: | 202010315789.5 | 申请日: | 2020-04-21 |
公开(公告)号: | CN111834278A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 小柳将 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 方法 | ||
1.一种光器件层的移设方法,将光器件晶片的光器件层移设,该光器件晶片是将被分割成芯片尺寸的多个光器件层隔着缓冲层层叠在外延基板的正面上而得的,其中,
该光器件层的移设方法具有如下的步骤:
移设部件接合步骤,将该光器件晶片和移设部件借助粘接剂而接合,在该光器件晶片的被分割成芯片尺寸的光器件层与光器件层之间的间隙中填充该粘接剂;
缓冲层破坏步骤,在实施了该移设部件接合步骤之后,从接合有该移设部件的光器件晶片的外延基板的背面侧对缓冲层照射对于外延基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线,将缓冲层破坏;
光器件层转移步骤,在实施了该缓冲层破坏步骤之后,将该外延基板从该光器件层剥离,将层叠在该外延基板上的光器件层转移至该移设部件;
粘接剂去除步骤,在该光器件层转移步骤之后,将填充至光器件层与光器件层之间的间隙中的粘接剂的至少一部分去除,以使得通过该移设部件接合步骤而埋设于粘接剂层的该光器件层从该粘接剂层突出;以及
光器件层移设步骤,在该粘接剂去除步骤之后,将从该粘接剂层突出的光器件层移设至安装基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010315789.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:牙齿矫正支架
- 下一篇:临时寄存器中的按通道动态索引
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造